【产品】ATP发布快速、低功耗DDR4-3200，为AMD EPYC™和第二代Intel®Xeon®Scal提供内存提升

时间： 2020-03-16 来源：ATP ELECTRONICS

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2020年3月– 高性能，高性价比DRAM模块的领先制造商ATP公司，近日发布快速，低功耗DDR4-3200解决方案，充分发挥了最新的AMD EPYC ™系列和第二代Intel^® Xeon^® 扩展处理器（以前分别代号为Rome和Cascade Lake）的优势。最新的DDR4-3200解决方案准备适用于未来的AMD Milan 和Genoa以及Intel^®Cooper Lake和Ice Lake处理器。

ATP DDR4-3200模块以其3200 MT/s的数据处理速率使产品性能和计算容量大幅提升，从而优化AMD的八通道内存和英特尔的六通道内存架构的功耗。ATP DDR4-3200 DRAM模块能够在满负荷的情况下以相同的速度运行，并将接口速度从2666MT/s提高到3200 MT/s，将理论峰值性能提高了20%。该模块传输数据的速度比现有最快的DDR3-1866快70％。

“高速数据处理、实时分析和数据驱动的决策制定，是工业世界转型的诸多标志之一。ATP最快的DDR4模块具有3200 MT/s的数据速率，将计算能力推向新的高度，以满足当今不断增长和变化的需求。” ATP全球营销副总裁Marco Mezger说。”这些存储模块不仅提供了新的性能水平，而且还提供了所有ATP产品所熟知的耐用性，可靠性和持久性，从而降低了总拥有成本（TCO）。”

由于具有快速响应能力，最新的ATP DDR4-3200解决方案是要求大容量，低功耗，出色可扩展性和高效率的高性能计算（HPC）应用的理想选择，例如电信基础设施，网络存储系统，网络连接存储（NAS）服务器，微型/云服务器以及诸如工业PC之类的嵌入式系统。

高达128GB的企业级容量和高达25,600 MB/s的峰值传输速率极大地提高了不断增长的嵌入式和云计算应用的功能，以满足大规模，内存密集型和多样化IoT/AI工作负载的需求。

ATP DDR4-3200 DRAM模块设计满足严格的工业要求，具有工业级的性能，集成电路支持-40°C至85°C的宽温度工作范围。ATP在老化过程中进行模块级测试(TDBI)，暴露出较弱的模块，并检测和筛选出0.01%的错误，从而最大程度确保模块的可靠性和长期耐久性。

ATP DDR4-3200模块的1.2V低功耗设计使其运行速度更快，却无需更高的功率和散热要求，这将更加节能。通过采用快速和低功耗IC设计，ATP DDR4-3200模块可实现成本效益的可扩展性和内存空间的扩展，以适应未来的需求。

ATP无缓冲DDR4-3200模块具有以下配置：SO-DIMM，UDIMM，ECC UDIMM，ECC SO-DIMM和RDIMM。

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全部评论（1）

ACE Lv8. 研究员 2020-03-16

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