全球光电传感器行业领航者——群芯微(Qunxin Microelectronics)
光继电器:超低动作电流,较低导通内阻,快速开关动作时间,驱动电压范围宽(输入端从两伏至几百伏直流驱动电压都能工作),低至1mw的超低功耗,极小尺寸,绝缘耐压达到5000Vrms以上等级,无触点长寿命,无噪声
栅极驱动光耦:驱动能力强可直接驱动高达1200V/100A以上功率的IGBT、SiC MOS,共模抑制比高大于30kV/μs
可控硅光耦:低触发电流,较低的开启态电压,可驱动大功率可控硅器件,5000Vrms隔离耐压等级,250V~800V高输出交流工作电压
高速光耦:传输速率1Mbps-50Mbps,可提供10Kv/μs的共模抑制比能力,20ns的传输延迟时间,3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级,双通道及四通道小型化封装,超小的PCBA板占率,全球首创4通道10M高速光耦,满足客户特定需求
晶体管光耦:较高的电流传输比,较低的工作电流,1.27mm小脚距,超小体积,超低的PCBA板占率,-55℃~125℃宽范围工作温度,单向传输特性抗干扰能力强,有电网行业要求的国网认证
智能功率模块接口光耦:传输速率高,可提供大于30Kv/μs的共模抑制比能力,较低的传输延迟时间,3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级,低损耗,适用IPM接口隔离驱动
达林顿光耦:极高的电流传输比,较低的工作电流,小体积,宽范围工作温度,单向传输特性抗干扰能力强
智能栅极驱动光耦:驱动能力强可直接驱动大功率IGBT、SiC MOS,共模抑制比高大于30kV/μs,具有过流保护功能防止损坏昂贵的功率器件,有欠压闭锁反馈、退饱和检测。
隔离运算放大器:电流采样精度高,高增益,高灵敏度,高带宽,较低的工作电流,小体积,宽范围工作温度,可提供大于10Kv/μs的共模抑制比能力,抗干扰能力强,3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级
MCU: 增强型1T 8051内核,16K Bytes FLASH 内部高精度 32MHz RC,多种时钟输出;基于高性能 32 位ARMCortexTM-M3 内核的MCU,最高 128KBFlash 空间和 28KBSRAM。
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型号- QXM601-CUH-S,QXM600,QXM611,QXM601,QXM611-CUH-S,QXM6XX-UNY-W
QX3H7 光电耦合器
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型号- QX3H7C-CUH-S,QX3H7D-CUH-S,QX3H7,QX3H7B-CUH-S,QX3H7A-CUH-S,QX3H7X-UNY-W
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型号- E3FA
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型号- QX3H4-CUH-S,QX3H4B-CUH-S,QX3H4X,QX3H4X-UNY-W,QX3H4A-CUH-S
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型号- QX8801X-UNY-W,QX8801X,QX8801C-CUH-T,QX8801A-CUH-D,QX8801C-CUH-L,QX8801B-CUH-S
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