全球光电传感器行业领航者——群芯微（Qunxin Microelectronics）

2021-12-23 世强
SIC MOS,高速光耦,MCU,光电耦合器 SIC MOS,高速光耦,MCU,光电耦合器 SIC MOS,高速光耦,MCU,光电耦合器 SIC MOS,高速光耦,MCU,光电耦合器

光继电器：超低动作电流，较低导通内阻，快速开关动作时间，驱动电压范围宽（输入端从两伏至几百伏直流驱动电压都能工作），低至1mw的超低功耗，极小尺寸，绝缘耐压达到5000Vrms以上等级，无触点长寿命，无噪声

栅极驱动光耦：驱动能力强可直接驱动高达1200V/100A以上功率的IGBT、SiC MOS，共模抑制比高大于30kV/μs

可控硅光耦：低触发电流，较低的开启态电压，可驱动大功率可控硅器件，5000Vrms隔离耐压等级，250V~800V高输出交流工作电压

高速光耦：传输速率1Mbps-50Mbps，可提供10Kv/μs的共模抑制比能力，20ns的传输延迟时间，3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级，双通道及四通道小型化封装，超小的PCBA板占率，全球首创4通道10M高速光耦，满足客户特定需求

晶体管光耦：较高的电流传输比，较低的工作电流，1.27mm小脚距，超小体积，超低的PCBA板占率，-55℃~125℃宽范围工作温度，单向传输特性抗干扰能力强，有电网行业要求的国网认证

智能功率模块接口光耦：传输速率高，可提供大于30Kv/μs的共模抑制比能力，较低的传输延迟时间，3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级，低损耗，适用IPM接口隔离驱动

达林顿光耦：极高的电流传输比，较低的工作电流，小体积，宽范围工作温度，单向传输特性抗干扰能力强

智能栅极驱动光耦：驱动能力强可直接驱动大功率IGBT、SiC MOS，共模抑制比高大于30kV/μs，具有过流保护功能防止损坏昂贵的功率器件，有欠压闭锁反馈、退饱和检测。

隔离运算放大器：电流采样精度高，高增益，高灵敏度，高带宽，较低的工作电流，小体积，宽范围工作温度，可提供大于10Kv/μs的共模抑制比能力，抗干扰能力强，3750V/5000 Vrms高隔离绝缘耐压等级

MCU: 增强型1T 8051内核，16K Bytes FLASH  内部高精度 32MHz RC，多种时钟输出；基于高性能 32 位ARMCortexTM-M3 内核的MCU，最高 128KBFlash 空间和 28KBSRAM。


选型指南：

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  • 一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2023-03-25
    学习
  • gshen Lv8. 研究员 2022-12-31
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  • JF Lv5. 技术专家 2022-12-22
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  • WilberTse Lv6. 高级专家 2022-11-14
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  • 火锅工程师 Lv7. 资深专家 2022-11-08
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  • dylen Lv7. 资深专家 2022-09-07
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  • 夏拉 Lv7. 资深专家 2022-08-06
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  • 棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-04-21
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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2022-04-13
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光电耦合器 GB 4943.1-2022 (CQC) 产品认证证书 (CQC21001297305)

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