【产品】1600V耐压可控硅整流器PDH15116,延迟时间仅2µs
PDH15116是KYOCERA(京瓷)半导体公司推出的一款可控硅整流器。它具有耐压高,平均整流电流大,浪涌通态电流大,关断速度快等特点。其反向重复峰值电压高达1600V,平均通态电流为150A,浪涌通态电流可达3200A,拥有出色的抗浪涌能力,能够保证器件可靠性。器件的开启时间tgt、延迟时间td以及上升时间tr分别为6µs、2µs、4µs(Tj=25℃,VD=2/3VDRM,IG=300mA,diG/dt=0.2A/µs),有较快的开关速度。器件可用于交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
PDH15116可控硅整流器的通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs(VD=2/3VDRM,ITM=2•IO,Tj=125℃,IG=300mA,diG/dt=0.2A/µs),断态电压临界上升率 dv/dt最小值为500V/µs(Tj=125℃,VD=2/3VDRM),器件的门极峰值电流IGM为2A,门极峰值电压VGM为10V,门极反向峰值电压VRGM为5V,有着较好的过压保护能力,门极峰值功率PGM为5W,门极平均功率PG为1W,较容易达到触发条件。其结温范围Tjw及存储温度范围Tstg均为-40 ~ +125℃,能够适应对温度要求较高的应用场合,绝缘耐压值Viso可达2500V,可减少信号干扰,有效对器件进行保护。
PDH15116可控硅整流器拥有良好的电气特性。其门极触发电流IGT最大仅300mA(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃),门极触发电压VGT最大仅5V(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃),有利于电路启动。擎住电流IL标准值为120mA(Tj=25℃),维持电流IH标准值为80mA(Tj=25℃),这使得其较容易的维持导通状态。此外,其热阻Rth(j-c)最大值仅为0.25℃/W,接触热阻Rth(c-f)最大值为0.15℃/W,拥有出色的散热性能,可在高温的工作环境下持续工作。
PDH15116可控硅整流器的主要特点:
•平均通态电流:IO=150A(半正弦波,Tc=73℃)
•反向重复峰值电压:VRRM=1600V
•通态浪涌电流:ITSM=3200A(50Hz正弦半波,单脉冲,非重复(非周期))
•周期电流平方时间积I2t:51200A2s(2~10ms)
•通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs(VD=2/3VDRM,ITM=2•IO,Tj=125℃,IG=300mA,diG/dt=0.2A/µs)
•断态电压临界上升率 dv/dt可达500V/µs(Tj=125℃,VD=2/3VDRM)
•绝缘耐压值Viso可达2500V
•门极触发电压最大仅5V(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃)
•门极触发电流最大仅300mA(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃)
•门极触发电压最大3V(VD=6V,IT=1A,Tj=25℃)
•门极触发电流最大150mA(VD=6V,IT=1A,Tj=25℃)
•反向峰值电流IRM最大仅为50mA(VRM=VRRM,Tj=125℃)
•通态峰值电压为1.38V(Tj=25℃,ITM=450A)
•维持电流IH标准值为80mA(Tj=25℃)
•热阻:Rth(j-c)最大仅为0.25℃/W
图一:PDH15116可控硅整流器回路图
图二:PDH15116可控硅整流器轮廓图
图三:PDH15116可控硅整流器通态电流VS电压示意图
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晶闸管的作用是什么
一、晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 二、用途: 晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm,最大宽度600mm,铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm,最小鳍片间距1cm;定制散热器产品工艺有热管焊接,穿片,打磨,铲齿,铝挤及CNC加工修边飞面等。
最小起订量: 2pcs 提交需求>
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