【产品】反向电流的最大仅500pA的CMSD6001硅开关二极管，专为需要极低泄漏二极管开关应用而设计
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅开关二极管——CMSD6001系列（CMSD6001,CMSD6001A,CMSD6001C,CMSD6001S），采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，SUPERmini™表面贴装封装，采用SOT-323封装，专为需要极低泄漏二极管开关应用而设计。其具体实物图如图1所示。
图1.CMSD6001硅开关二极管实物图
CMSD6001硅开关二极管的峰值重复反向电压VRRM为100V，连续正向电流IF为250mA， 反向连续电压VR为75 V，其反向电流IR的最大值为500 pA（VR=75V），具有极低泄漏和较高的反向耐压能力。CMSD6001硅开关二极管的功率损耗PD的最大值为275 mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流IF为100mA时，正向压降VF的最大值仅为1.1 V。产品封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图如图2所示。
图2.CMSD6001硅开关二极管的封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图
CMSD6001硅开关二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为4.0A（tp=1.0μs），峰值正向浪涌电流IFSM为1.0A（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流IFRM为250 mA，热阻为455°C/W， 低频瓷介电容的最大值为2.0pF(VR=0, f=1.0MHz)。CMSD6001硅开关二极管的工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间trr最大值为3.0 μs (IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)。
CMSD6001硅开关二极管的主要特性：
•重复峰值反向电压VRRM为100V
•正向浪涌电流能力IFSM为4.0A（tp=1.0us）
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•结壳热阻ΘJA为455°C/W
•功率损耗PD为275mW
•低频瓷介电容的最大值为2.0pF(VR=0, f=1.0MHz)
•反向恢复时间trr最大值为3.0 μs(IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω)
•SOT-323表面贴装封装
•CMSD6001：单个标记代码为6C1
•CMSD6001A：两个，共阳极标记代码为61A
•CMSD6001C：两个，共阴极标记代码为61C
•CMSD6001S：双列，串联标记码为61S
CMSD6001硅开关二极管的主要运用领域：
•极低泄漏二极管开关
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