【产品】反向电流的最大仅500pA的CMSD6001硅开关二极管，专为需要极低泄漏二极管开关应用而设计

时间： 2018-12-16 来源：Central Semiconductor

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅开关二极管——CMSD6001系列（CMSD6001,CMSD6001A,CMSD6001C,CMSD6001S），采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，SUPERmini™表面贴装封装，采用SOT-323封装，专为需要极低泄漏二极管开关应用而设计。其具体实物图如图1所示。

图1.CMSD6001硅开关二极管实物图

CMSD6001硅开关二极管的峰值重复反向电压V_RRM为100V，连续正向电流I_F为250mA，反向连续电压V_R为75 V，其反向电流I_R的最大值为500 pA（V_R=75V），具有极低泄漏和较高的反向耐压能力。CMSD6001硅开关二极管的功率损耗P_D的最大值为275 mW，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流I_F为100mA时，正向压降V_F的最大值仅为1.1 V。产品封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图如图2所示。

图2.CMSD6001硅开关二极管的封装尺寸、引脚说明以及可参考的焊盘轮廓图

CMSD6001硅开关二极管的峰值正向浪涌电流I_FSM为4.0A（tp=1.0μs），峰值正向浪涌电流I_FSM为1.0A（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流I_FRM为250 mA，热阻为455°C/W，低频瓷介电容的最大值为2.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)。CMSD6001硅开关二极管的工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。反向恢复时间较短，时间t_rr最大值为3.0 μs (I_R=I_F=10mA, I_rr=1.0mA, R_L=100Ω)。

CMSD6001硅开关二极管的主要特性：

•重复峰值反向电压V_RRM为100V

•正向浪涌电流能力I_FSM为4.0A（tp=1.0us）

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•结壳热阻Θ_JA为455°C/W

•功率损耗P_D为275mW

•低频瓷介电容的最大值为2.0pF(V_R=0, f=1.0MHz)

•反向恢复时间t_rr最大值为3.0 μs(I_R=I_F=10mA, I_rr=1.0mA, R_L=100Ω)

•SOT-323表面贴装封装

•CMSD6001：单个标记代码为6C1

•CMSD6001A：两个，共阳极标记代码为61A

•CMSD6001C：两个，共阴极标记代码为61C

•CMSD6001S：双列，串联标记码为61S

CMSD6001硅开关二极管的主要运用领域：

•极低泄漏二极管开关

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