【应用】国产硅N沟道增强型VDMOSFET HM1N60PR助力充电器解决方案，进一步减轻体积和重量
充电器是电子产品的重要配件，其性能好坏直接影响用户的使用体验。而功率MOSFET作为充电器中的关键部件是工程师们设计充电器电路解决方案之初重点考虑的元器件之一。选用高效率、小尺寸、高可靠性和稳定性的功率MOSFET，不仅节省了工程师的设计时间，同时也满足了充电器的使用需求。
硅N沟道增强型VDMOSFET是一种常见的功率MOSFET，在充电器中作为开关管使用，用于控制电流的通断。使用高性能的硅N沟道增强型VDMOSFET可以提高充电器效率和减小尺寸，从而保证了充电器的可靠性和稳定性。
针对充电器应用方案中硅N沟道增强型VDMOSFET选择，笔者推荐虹美功率半导体HM1N60PR。在日常使用中输出电压过高或者电流短路会导致充电器故障，因此选用合适的器件尤为重要。而HM1N60PR通过自对准平面技术降低了传导损耗，可以提高充电器的效率，减少能源浪费；另外改善了开关性能，这种改善可以使充电器的输出电压更加稳定，减少电压波动和噪音，提高充电器的性能和稳定性；同时提高了雪崩能量，使得充电器能够承受更高的电压和电流，避免电路过载和短路等故障。在出行过程中充电器太大不利于携带，会影响人们的使用体验；HM1N60PR采用小巧便携的SOT-89-3L封装形式，减轻了充电器的体积和重量，是出行人员的理想选择。
表 1
通常在使用高功率电器产品充电器时（如：电动工具充电器），由于功率高充电器需要输出大电流和高电压，因此需要硅N沟道增强型VDMOSFET的漏源导通电阻小，以保证充电器的效率和稳定性。HM1N60PR漏源电压VDSS为600V，耗散功率为3W，漏源导通电阻RDS(ON）Typ为9Ω，其优良电气性能不仅能够在充电器工作时有效地控制温度，防止过热，提高充电器的安全性，还能够在较短的时间内将负载电流传输到负载上，提高充电器的工作效率。
虹美功率半导体HM1N60PR为工程师们提供了一种小型便利、高效可靠的充电器设计方案。
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