【产品】60V/3A的N沟道增强型功率MOSFET RM2308，适用于电池开关和DC/DC转换器
丽正国际的RM2308是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以提供优秀的的漏源导通电阻RDS(ON)、低栅电荷和低至2.5V的栅极工作电压。漏源电压60V，漏极持续电流为3A，最大耗散功率为1.7W，采用SOT-23-3L封装，适用于电池开关和DC/DC转换器。
图1 RM2308的实物图、封装形式和内部电路
产品特性：
● VDS =60V，ID =3A
RDS(ON) <105mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V
● 高功率和电流处理能力
● 无铅产品
● 表面贴装封装
应用场合：
● 电池开关
● DC/DC转换器
RM2308的最大额定值参数(TA=25℃,除非特殊说明)
RM2308电气特性(TA=25℃,除非特殊说明)
Note：
1 重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
2 表贴在FR4板上，t≤10秒
3 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4 通过设计保证，不受生产限制
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