【产品】trr最大为5.0ns的低功耗硅肖特基二极管，其功耗仅250mW
CMDSH-4E是CENTRAL半导体公司推出的一款硅肖特基二极管，它是CMDSH-3的增强版本，其采用了SOD-323表贴封装。CMDSH-4E具有低功耗、低正向压降、低反向电流、反向恢复时间短等特点，可用于DC-DC转换器，电压钳位领域。
图1 CENTRAL CMDSH-4E硅肖特基二极管实物图
CENTRAL CMDSH-4E硅肖特基二极管的峰值重复反向电压VRRM为40V，平均正向电流IO为200mA。CMDSH-4E硅肖特基二极管具有低反向电流，其典型值为IR=90nA@25V。另外，CMDSH-4E硅肖特基二极管的反向恢复时间极短，最大值仅为5.0ns。CMDSH-4E硅肖特基二极管还具有较低的正向压降，当正向电流IF为15mA时，正向压降典型值为0.37V，其输出特性曲线如图2所示。
图2 CMDSH-4E硅肖特基二极管输出特性曲线
CENTRAL CMDSH-4E硅肖特基二极管的热阻为500℃/W，工作和存储结温均为-65℃~+150℃，满足工业环境温度要求。在10ms的持续时间内，CMDSH-4E硅肖特基二极管的峰值正向浪涌电流为750mA。另外，CMDSH-4E的功耗只有250mW，满足低功耗产品的设计要求。
CMDSH-4E硅肖特基二极管的产品特性：
• 峰值重复反向电压：40V
• 平均正向电流：200mA
• 峰值重复正向电流：350mA
• 峰值正向浪涌电流：750mA（tp=10ms）
• 功耗：250mW
• 工作和存储结温：-65℃~+150℃
• 热阻：500℃/W
CMDSH-4E硅肖特基二极管的应用领域：
• DC-DC转换器
• 电压钳位
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