【经验】以RS3236-1.2YF5为例介绍如何考虑LDO的热阻
在通常的LDO设计中，很多工程师仅仅关注输入输出电压范围、输出负载电流能力。而对电源系统影响很大的热阻参数常常被忽略。实际上热阻参数如果选择不当，就容易引起LDO功耗过大、过热而进入热保护状态，导致不正常工作。
下面以润石科技的RS3236-1.2YF5为例介绍此参数对电源的影响。该LDO的主要参数为：1.7V~7.5V的电压输入范围；最大500mA电流输出；输出电压固定1.2V；SOT23-5封装；同时具有限流和热保护功能。
而此LDO输出能不能达不到500mA，其实还需要考虑其热阻参数的。根据该芯片Datasheet描述，其热阻RθJA=185.6℃/W。
图1：RS3236-1.2YF5热阻参数
那么其最大功率消耗根据下式可得：
PD(max) = （TJ(max)-TA）/ RθJA （1）
其中，TJ为芯片结温，TA为环境温度，RθJA为热阻。当芯片超过了最大允许功耗时，节点温度会过高，从而芯片会损坏。
RS3236-1.2YF5（SOT23-5封装）的最大功耗为：
PD(max) = ( 85℃–25℃) / (185.6℃/W) = 323 mW
实际工作过程中，芯片功耗为：
PD = ( Vin–Vout)*Iout （2）
因此，芯片实际工作时的功耗必须限制在最大允许功耗范围内，超过PD(max)则芯片会容易损坏。那么在已知输入输出压差的条件下，就可得出最大输出电流，例如：输入电压3.3V，输出电压1.2V，则根据式2可得：
323mW = (3.3V–1.2V)*I(load(max)
则 I(load(max)) = 153.8mA，要远远小于500mA。
由上面分析可知在LDO电源芯片选型的过程中，LDO的热阻参数对其它参数（如输出电流、输入输出压差等）是有较大影响的，必须予以考虑。选型时应尽量选择热阻小的芯片或封装，尤其是同一型号芯片的不同封装，其热阻会相差较大，比如以上电源芯片RS3236-1.2YUTDN4的DFN-4L封装，其热阻为144.1℃/W，较之SOT23-5封装的185.6℃/W要小，则负载电流能力也会越高。
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