【经验】以RS3236-1.2YF5为例介绍如何考虑LDO的热阻

2020-02-10 世强
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在通常的LDO设计中,很多工程师仅仅关注输入输出电压范围、输出负载电流能力。而对电源系统影响很大的热阻参数常常被忽略。实际上热阻参数如果选择不当,就容易引起LDO功耗过大、过热而进入热保护状态,导致不正常工作。


下面以润石科技RS3236-1.2YF5为例介绍此参数对电源的影响。该LDO的主要参数为:1.7V~7.5V的电压输入范围;最大500mA电流输出;输出电压固定1.2V;SOT23-5封装;同时具有限流和热保护功能。


而此LDO输出能不能达不到500mA,其实还需要考虑其热阻参数的。根据该芯片Datasheet描述,其热阻RθJA=185.6℃/W。

图1:RS3236-1.2YF5热阻参数

那么其最大功率消耗根据下式可得:

PD(max) = (TJ(max)-TA)/ RθJA      (1)

其中,TJ为芯片结温,TA为环境温度,RθJA为热阻。当芯片超过了最大允许功耗时,节点温度会过高,从而芯片会损坏。


RS3236-1.2YF5(SOT23-5封装)的最大功耗为:

PD(max) = ( 85℃–25℃) / (185.6℃/W) = 323 mW

实际工作过程中,芯片功耗为:

PD = ( Vin–Vout)*Iout       (2)


因此,芯片实际工作时的功耗必须限制在最大允许功耗范围内,超过PD(max)则芯片会容易损坏。那么在已知输入输出压差的条件下,就可得出最大输出电流,例如:输入电压3.3V,输出电压1.2V,则根据式2可得:

323mW = (3.3V–1.2V)*I(load(max)

则 I(load(max)) = 153.8mA,要远远小于500mA。


由上面分析可知在LDO电源芯片选型的过程中,LDO的热阻参数对其它参数(如输出电流、输入输出压差等)是有较大影响的,必须予以考虑。选型时应尽量选择热阻小的芯片或封装,尤其是同一型号芯片的不同封装,其热阻会相差较大,比如以上电源芯片RS3236-1.2YUTDN4的DFN-4L封装,其热阻为144.1℃/W,较之SOT23-5封装的185.6℃/W要小,则负载电流能力也会越高。

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