【经验】E-MODE GaN HEMT驱动电路参考设计

时间： 2023-02-28 来源：聚能创芯公众号

技术问答

聚能创芯致力于提供高性能、低成本的国产化GaN 器件产品和解决方案。聚能创芯的E-MODE GAN HEMT 产品增加了开尔文引脚设计，有助于减小驱动环路寄生参数产生的震荡，提高电路的稳定性。

针对市场上主流的主控方案，推荐驱动电路设计方案如下：

传统Si MOS PWM 控制芯片，无外加驱动器，可通过增加RC电路驱动 GaN，改变Ron和Roff可以控制开关速度调整 EMI。

典型主控方案：NCP1342

推荐参数设置：

传统Si MOS PWM控制芯片，通过外加驱动器把驱动电压降低到 6V，改变Ron和Roff可以控制开关速度调整EMI。

典型主控方案：NCP1342+FAN3111(驱动器)

推荐参数设置：

GaN HEMT专用PWM控制芯片，直接驱动 GaN, 改变Ron 和 Roff 可以控制开关速度调整 EMI。

典型主控方案：SC3021C

推荐参数设置：

传统Si MOS LLC控制芯片，无外加驱动器,可通过增加 RC 电路驱动 GaN，改变 Ron 和 Roff 可以控制开关速度调整 EMI。

典型主控方案：TEA2017、HR1211

推荐参数设置：

青岛聚能创芯微电子有限公司

青岛聚能创芯微电子有限公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。

公司掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术。致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。

背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认可的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。

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