【应用】硅N沟道功率MOSFET HM1N50MR为适配器提供高效设计方案,漏源电压VDS为500V

2023-05-14 世强
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随着人们对电子设备需求增加,适配器也成为了一种不可或缺的产品,其性能好坏直接影响相关电子设备的使用效果和寿命。因此,工程师们在开始设计此类产品之初,就需要选用能耗低、高效率和高可靠性的电路器件,来提高适配器的工作效率和稳定性。


在适配器电路解决方案中选用合适硅N沟道功率MOSFET,可以提升工程师们设计效率。其工作原理是通过硅N沟道功率MOSFET的开关控制来实现电压、电流以及频率等参数的转换,从而满足不同电子设备的供电需求。


针对适配器应用方案硅N沟道功率MOSFET选型,笔者推荐虹美功率半导体HM1N50MR。它通过自对准平面技术降低了传导损耗,提高了雪崩能量,改善了开关性能;这一性能使得适配器能够高效率将电流输出到电子设备,缩短了充电时间,减少了人们等待时间。高效、便携的适配器使得人们工作效率更高,虹美功率半导体HM1N50MR采用SOT23-3L封装,与其他封装形式相比它尺寸更小,节省了适配器电路空间,从而有效的减轻了适配器的体积和重量,以满足适配器小型、便携的设计要求。

表 1

HM1N50MR漏源电压VDS为500V,使得适配器可以承受更高的工作电压,适合高电压输出场合需求。同时该产品具有快速切换和低导通电阻的特性,Rdson不大于10.5Ω,提高了适配器的功率转换效率和减少能量损失,从而保证了器件的稳定性和寿命。


适配器工作时会产品热量,高温可能会导致元器件损坏,电路故障等问题。虹美功率半导体HM1N50MR是一款低功耗器件,其工作温度和存储环境温度的范围为150℃,-55℃~150℃,ID为1.0A,结与管壳之间额定热阻RθJC为41.7℃/W,其优异的电气性能保证了适配器可以在严苛的温度环境下工作,故障率降低且能够适应多种场合,从而满足更多客户需求。


虹美功率半导体HM1N50MR是一款快速切换,低导通电阻的硅N沟道功率MOSFET,是适配器解决方案的理想选择。

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  • Timm Lv9. 科学家 2023-07-08
    学习
  • 阿尼古 Lv8. 研究员 2023-05-17
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产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS120N03D
中压大电流SGT MOS
SGT工艺(Split Gate)
N沟道
DFN5X6-8L
30V
120A
340A
1.7V
20V
1.95mΩ
2.85mΩ

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