【应用】硅N沟道功率MOSFET HM1N50MR为适配器提供高效设计方案，漏源电压VDS为500V
随着人们对电子设备需求增加，适配器也成为了一种不可或缺的产品，其性能好坏直接影响相关电子设备的使用效果和寿命。因此，工程师们在开始设计此类产品之初，就需要选用能耗低、高效率和高可靠性的电路器件，来提高适配器的工作效率和稳定性。
在适配器电路解决方案中选用合适硅N沟道功率MOSFET，可以提升工程师们设计效率。其工作原理是通过硅N沟道功率MOSFET的开关控制来实现电压、电流以及频率等参数的转换，从而满足不同电子设备的供电需求。
针对适配器应用方案硅N沟道功率MOSFET选型，笔者推荐虹美功率半导体的HM1N50MR。它通过自对准平面技术降低了传导损耗，提高了雪崩能量，改善了开关性能；这一性能使得适配器能够高效率将电流输出到电子设备，缩短了充电时间，减少了人们等待时间。高效、便携的适配器使得人们工作效率更高，虹美功率半导体HM1N50MR采用SOT23-3L封装，与其他封装形式相比它尺寸更小，节省了适配器电路空间，从而有效的减轻了适配器的体积和重量，以满足适配器小型、便携的设计要求。
表 1
HM1N50MR漏源电压VDS为500V，使得适配器可以承受更高的工作电压，适合高电压输出场合需求。同时该产品具有快速切换和低导通电阻的特性，Rdson不大于10.5Ω，提高了适配器的功率转换效率和减少能量损失，从而保证了器件的稳定性和寿命。
适配器工作时会产品热量，高温可能会导致元器件损坏，电路故障等问题。虹美功率半导体HM1N50MR是一款低功耗器件，其工作温度和存储环境温度的范围为150℃，-55℃~150℃，ID为1.0A，结与管壳之间额定热阻RθJC为41.7℃/W，其优异的电气性能保证了适配器可以在严苛的温度环境下工作，故障率降低且能够适应多种场合，从而满足更多客户需求。
虹美功率半导体HM1N50MR是一款快速切换，低导通电阻的硅N沟道功率MOSFET，是适配器解决方案的理想选择。
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
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中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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DFN5X6-8L
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30V
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120A
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340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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