【产品】EPC首推eToF™激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计
宜普电源转换公司（EPC）推出首个氮化镓集成电路（GaN IC）系列，实现性能更高、更小巧且采用飞行时间（ToF）技术的激光雷达应用，包括机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC EPC21601，在单个芯片上集成了40 V、10 A的场效应晶体管、栅极驱动器和3.3 V逻辑电平输入，面向飞行时间（ToF）激光雷达系统，用于机器人、监控保安系统、无人机、全自动驾驶汽车和吸尘器。
EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅1.5 mm x 1.0 mm。由于外形小巧且集成了多个功能，因此和采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。
图1、产品尺寸
EPC21601是激光驱动器IC系列中首个产品，采用芯片级封装（CSP）。集成多个器件于单个芯片上的好处是易于设计、布局和组装，并且节省占板面积、提高效率和降低成本。该系列的产品将推动在更广泛的最终用户应用中，ToF技术的激光雷达解决方案能够更快被采纳和得以普及。
EPC首席执行官兼共同创始人Alex Lidow表示：“我们的氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和驱动器，可产生功能强大、速度超快的IC，并且缩小系统的尺寸和降低成本，从而在消费类应用中得以普及。全新的氮化镓集成电路系列将显着提升性能，同时缩小飞行时间激光雷达系统的尺寸和降低成本。”
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描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名
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活动 发布时间 : 2024-10-12
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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电子商城
服务
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