【产品】400V/200A可控硅整流器PFT2014N，浪涌通态电流高达5000A

时间： 2018-01-21 来源：Kyocera（世强编辑整理） 作者：张山三

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PFT2014N是KYOCERA（京瓷）半导体公司推出的一款具有耐压高，平均整流电流大，浪涌通态电流大等优点的可控硅整流器。器件的反向重复峰值电压为400V，平均整流电流为200A，浪涌通态电流可达5000A，拥有出色的抗浪涌能力，能够保证器件拥有较高的可靠性。可用于交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

PFT2014N可控硅整流器的门极峰值功率P_GM为5W，门极平均功率P_G为1W，较容易达到触发条件，门极峰值电流I_GM为2A，门极峰值电压V_GM为10V，门极反向峰值电压V_RGM为5V，有着较好的过压保护能力。其工作结温范围T_jw为-40 ~ +150℃，存储温度范围T_stg为-40 ~ +125℃，可满足工业需求，能够适应较恶劣的工业环境。

PFT2014N可控硅整流器拥有较小的通态峰值电压，V_TM仅1.19V（Tj=25℃，I_TM=600A），同时其反向峰值电流I_RM及断态峰值电流I_DM最大值均为50mA，这表明器件拥有较小的通态损耗。器件的门极触发电流I_GT最大仅300mA（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）,门极触发电压V_GT最大值为5V（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）,门极不触发电压V_GD最小值为0.25V（Tj=125℃，V_D=2/3V_DRM），有利于电路快速启动。器件的擎住电流I_L标准值为150mA（Tj=25℃），维持电流I_H标准值为100mA（Tj=25℃），这使得其较容易的维持导通状态。此外，其热阻R_th（j-c）最大值仅为0.05℃/W，拥有出色的散热性能，可在高温的工作环境下持续工作。该元件的质量约300g。

PFT2014N可控硅整流器的主要特点：
•平均整流电流：I_O（AV）=200A（半正弦波，Tc=116℃）
•反向重复峰值电压：V_RRM=400V
•通态浪涌电流：I_TSM=5000A（50Hz正弦半波，1脉冲，非重复）
•周期电流平方时间积I²t：125000A²s（2~10ms）

•操作结温范围：Tjw为-40 ~ +150℃
•门极触发电压最大为5V（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）
•门极触发电流最大为300mA（V_D=6V,I_T=1A,Tj=-40℃）
•门极不触发电压V_GD最小值为0.25V（Tj=125℃，V_D=2/3V_DRM）
•反向峰值电流I_RM最大仅为50mA（V_RM=V_RRM，Tj=125℃）
•通态峰值电压为1.19V（Tj=25℃，I_TM=600A）
•维持电流I_H标准值为100mA（Tj=25℃）
•热阻：Rth（j-c）最大仅为0.05℃/W

图一：PFT2014N可控硅整流器回路图

图二：PFT2014N可控硅整流器轮廓图

图三：PFT2014N可控硅整流器通态电流VS电压特性曲线

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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-06-12

不错

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