【产品】10-16 GHz中功率放大器CHA5266-99F，广泛应用于从军事到商业通信系统
CHA5266-99F是UMS推出的一款三级单片GaAs中功率放大器，可产生23dB线性增益和36dBm OIP3，它适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。CHA5266-99F采用芯片形式，基于pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻，其电路示意图如图1所示。
图1 中功率放大器CHA5266-99F电路示意图
在Tamb.=+25°C,Vd=+5.0V的环境下，CHA5266-99F的频率范围在10~16GHz之间，线性增益典型值为23dB，OIP3典型值为36dBm，在1dB压缩点下的输出功率典型值为26.5dBm，饱和输出功率的典型值为27.5dBm，输入/输出回波损耗的典型值分别为12/15dB，噪声系数典型值为5.5dB，静态漏极电流典型值为360mA，栅极电压典型值为-0.35V。CHA5266-99F的直流原理图如图2所示。
图2 中功率放大器CHA5266-99F的直流原理图
CHA5266-99F的漏极偏置电压额定值为7V，漏极偏置电流额定值为0.45A，栅极偏置电压的范围在-2~0V之间。此外，CHA5266-99F的工作温度范围是-40°C~85°C，存储温度范围是-55°C~150°C，操作结温为175°C，较宽松的温度范围可以使器件适应大多数的恶劣工业环境，具有较高的使用价值。CHA5266-99F的线性增益与频率和温度的关系如图3所示。
图3 中功率放大器CHA5266-99F的线性增益与频率和温度的关系
中功率放大器CHA5266-99F主要特点
·宽带性能：10-16GHz
·23dB线性增益
·26.5dBm输出功率@1dB comp
·36dBm OIP3
·直流偏置：Vd=5.0V@Id=360mA
·芯片尺寸：1.81x1.37x0.1mm
中功率放大器CHA5266-99F典型应用
·大型游戏设备
·光纤接入设备
·微波通信
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由LBX翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】2-8GHz高功率射频放大器CHA6015，输出功率37.5dBm
CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器，可输出37.5dBm的功率，线性增益可达18.5dB，能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计，同时也能够广泛应用于微波系统中。
新产品 发布时间 : 2017-05-24
【产品】71~76GHz频率范围的GaAS单片微波三级中功率放大器
CHA3080-98F是一款UMS公司推出的基于GaAS的单片微波三级中功率放大器。工作频率范围在71到76GHz之间，是目前商用微波通信的最高频段之一。产品致力于E波段的通信系统设计，尤其适用于新时代的高容量回程网络。
新产品 发布时间 : 2017-12-02
【产品】20-33GHz高增益宽带四级单片中功率放大器，适用于从军事到商业通信系统广泛应用
CHA3092是UMS推出的一款高增益宽带四级单片中功率放大器。它是以芯片形式提供产品的，其电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm。芯片的背面是RF和DC接地，这有助于简化装配过程。CHA3092适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。
新产品 发布时间 : 2018-12-19
5.8G发射模块需要一个2W的PA功放管，请问有什么推荐？
推荐高功率放大器CHA6250-QFG，工作频段5.5-9GHz，可以覆盖5.8GHz，P-1可以达到33.5dBm，饱和输出功率34.5dBm
技术问答 发布时间 : 2017-07-01
CHA5266-99F 10-16GHz Medium Power Amplifier GaAs Monolithic Microwave IC
型号- CHA5266-99F/00,CHA5266-99F
CHA5266-FAB 10-16GHz Medium Power Amplifier GaAs Monolithic Microwave IC in SMD Ceramic Hermetic package
型号- CHA5266-FAB/24,CHA5266-FAB/XY,CHA5266-FAB
【应用】UMS推出的中功率放大器CHA4350-QDG助力X波段相控阵天线设计，线性增益的典型值为26dB
这里推荐一款用于商用小卫星上的相控阵天线方案，方案主要由收发芯片与放大模块组成，集成为有源天线，其中放大模块中PA推荐UMS的中功率放大器CHA4350-QDG，其频率范围为5.5-11.7GHz。
应用方案 发布时间 : 2023-03-03
CHA5005-QDG 0.9-1.8GHz Medium Power Amplifier: GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package
型号- CHA5005-QDG,CHA5005-QDG/20,CHA5005-QDG/21,CHA5005-QDG/XY
UMS CHA3666-FAA数据手册
型号- CHA3666-SNF/21,CHA3666-SNF/20,CHA3666,CHA3666-QAG/20,CHA3666-QAG/21,CHA3666-99F/00,CHA3666-FAA
电子商城
服务
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论