【产品】-6A，-20V的P沟道功率MOSFET AP2317A，具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用SOT-23-3封装的P沟道功率MOSFET——AP2317A，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可在低至2.5V的栅极电压下运行，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关等应用。
特点
漏源电压VDS=-20V，连续漏极电流ID=-6A
漏源导通电阻RDS(ON)<28mΩ（最大值）@VGS=-2.5V
漏源导通电阻RDS(ON)<20mΩ（最大值）@VGS=-4.5V
高功率、电流处理能力
无铅产品
表面贴装
无卤素
P/N后缀V表示AEC-Q101合格，例如：RM2333V
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（TA=25℃，除非特别说明）:
热特性
电气参数(TA=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、表面贴装在FR4板，t≤10s
3、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4、由设计保证，不受产品限制
封装标记及订购信息
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铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术，出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20，多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
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