【产品】1600V/66A可控硅整流器，拥有极快开关速度
PDT3016/PDH3016/PCH3016是KYOCERA（京瓷）半导体公司推出的一款能在高电压条件下工作的可控硅整流器。它们拥有一致的参数，在回路连接上有所差异（回路图如图一所示）。其反向重复峰值电压高达1600V，通态电流有效值为66A（在半正弦波通电，TC=96℃），浪涌通态电流可达600A（半正弦，1脉冲，非重复性），拥有出色的抗浪涌能力，能够保证器件可靠性。器件可用于交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs（VD=2/3VDRM，ITM=IT(RMS)，Tj=125℃，IG=200mA，diG/dt=0.2A/µs），断态电压临界上升率 du/dt最小值为500V/µs（Tj=125℃，VD=2/3VDRM），门极峰值功率PGM为5W，门极平均功率PG为1W，较容易达到触发条件，门极峰值电流IGM为2A，门极峰值电压VGM为10V，门极反向峰值电压VRGM为5V，有着较好的过压保护能力。其结温范围Tjw及存储温度范围Tstg均为-40 ~ +125℃，可满足工业需求，适应较恶劣的工业环境，绝缘耐压值Viso可达2500V，可减少信号干扰，有效对器件进行保护。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的断态峰值电流IDM最大值为20mA（Tj=125℃，VDM=VDRM），通态峰值电压VTM最大值仅为1.5V（Tj=25℃，ITM=90A），器件的门极触发电流IGT最大仅200mA（VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃）,门极触发电压VGT最大仅4V（VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃）,有利于电路启动。其擎住电流IL标准值为100mA（Tj=25℃），维持电流IH标准值为50mA（Tj=25℃），这使得其较容易的维持导通状态。器件的开启时间tgt、延迟时间td以及上升时间tr分别为6µs、2µs、4µs（Tj=25℃，ITM=IT(RMS)，VD=2/3VDRM，IG=200mA，diG/dt=0.2A/µs），有较快的开关速度。此外，它们的热阻Rth（j-c）最大值为0.7℃/W，接触热阻Rth（c-f）最大值为0.2℃/W，拥有出色的散热性能，可在高温的工作环境下持续工作。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的主要特点：
•通态电流有效值：66A（在半正弦波通电，TC=96℃）
•反向重复峰值电压：VRRM=1600V
•通态浪涌电流：ITSM=600A（50Hz正弦半波，1脉冲，非重复）
•周期电流平方时间积I2t：1800A2s
•通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs（VD=2/3VDRM，ITM=IT(RMS)，Tj=125℃，IG=200mA，diG/dt=0.2A/µs）
•断态电压临界上升率 du/dt可达500V/µs（Tj=125℃，VD=2/3VDRM）
•绝缘耐压值Viso可达2500V
•门极触发电压最大仅4V（VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃）
•门极触发电流最大仅200mA（VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃）
•反向峰值电流IRM最大仅为10mA（VRM=VRRM，Tj=125℃）
•通态峰值电压为1.5V（Tj=25℃，ITM=90A）
•维持电流IH标准值为50mA（Tj=25℃）
•热阻：Rth（j-c）最大仅为0.7℃/W
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的主要应用：
•可控整流
•交流调压
•无触点电子开关
•逆变电路
图一：PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器回路图
图二：PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器轮廓图
图三：PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器通态电流VS电压示意图
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