【产品】1600V/66A可控硅整流器,拥有极快开关速度
PDT3016/PDH3016/PCH3016是KYOCERA(京瓷)半导体公司推出的一款能在高电压条件下工作的可控硅整流器。它们拥有一致的参数,在回路连接上有所差异(回路图如图一所示)。其反向重复峰值电压高达1600V,通态电流有效值为66A(在半正弦波通电,TC=96℃),浪涌通态电流可达600A(半正弦,1脉冲,非重复性),拥有出色的抗浪涌能力,能够保证器件可靠性。器件可用于交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs(VD=2/3VDRM,ITM=IT(RMS),Tj=125℃,IG=200mA,diG/dt=0.2A/µs),断态电压临界上升率 du/dt最小值为500V/µs(Tj=125℃,VD=2/3VDRM),门极峰值功率PGM为5W,门极平均功率PG为1W,较容易达到触发条件,门极峰值电流IGM为2A,门极峰值电压VGM为10V,门极反向峰值电压VRGM为5V,有着较好的过压保护能力。其结温范围Tjw及存储温度范围Tstg均为-40 ~ +125℃,可满足工业需求,适应较恶劣的工业环境,绝缘耐压值Viso可达2500V,可减少信号干扰,有效对器件进行保护。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的断态峰值电流IDM最大值为20mA(Tj=125℃,VDM=VDRM),通态峰值电压VTM最大值仅为1.5V(Tj=25℃,ITM=90A),器件的门极触发电流IGT最大仅200mA(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃),门极触发电压VGT最大仅4V(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃),有利于电路启动。其擎住电流IL标准值为100mA(Tj=25℃),维持电流IH标准值为50mA(Tj=25℃),这使得其较容易的维持导通状态。器件的开启时间tgt、延迟时间td以及上升时间tr分别为6µs、2µs、4µs(Tj=25℃,ITM=IT(RMS),VD=2/3VDRM,IG=200mA,diG/dt=0.2A/µs),有较快的开关速度。此外,它们的热阻Rth(j-c)最大值为0.7℃/W,接触热阻Rth(c-f)最大值为0.2℃/W,拥有出色的散热性能,可在高温的工作环境下持续工作。
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的主要特点:
•通态电流有效值:66A(在半正弦波通电,TC=96℃)
•反向重复峰值电压:VRRM=1600V
•通态浪涌电流:ITSM=600A(50Hz正弦半波,1脉冲,非重复)
•周期电流平方时间积I2t:1800A2s
•通态电流临界上升率 di/dt为100A/µs(VD=2/3VDRM,ITM=IT(RMS),Tj=125℃,IG=200mA,diG/dt=0.2A/µs)
•断态电压临界上升率 du/dt可达500V/µs(Tj=125℃,VD=2/3VDRM)
•绝缘耐压值Viso可达2500V
•门极触发电压最大仅4V(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃)
•门极触发电流最大仅200mA(VD=6V,IT=1A,Tj=-40℃)
•反向峰值电流IRM最大仅为10mA(VRM=VRRM,Tj=125℃)
•通态峰值电压为1.5V(Tj=25℃,ITM=90A)
•维持电流IH标准值为50mA(Tj=25℃)
•热阻:Rth(j-c)最大仅为0.7℃/W
PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器的主要应用:
•可控整流
•交流调压
•无触点电子开关
•逆变电路
图一:PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器回路图
图二:PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器轮廓图
图三:PDT/PDH/PCH3016可控硅整流器通态电流VS电压示意图
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