【产品】HSMT8封装的N沟道功率MOSFET RH6P040BH，静态漏源导通电阻仅15.6mΩ
罗姆（ROHM）推出的RH6P040BH是一款N沟道功率MOSFET，该器件具有低导通电阻、高功率封装等特点。在绝对最大额定值（Ta =25℃）方面，其漏源电压为100V，连续漏极电流（VGS=10V）为±40A（Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制），耗散功率为59W（Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制）。
在电气特性（Ta=25℃）方面，该器件具有低静态漏源导通电阻，在VGS=10V、ID=40A条件下，其RDS(on)（脉冲）最大值仅为15.6mΩ。该器件采用HSMT8封装，无铅电镀，符合RoHS标准，并通过100%Rg和UIS测试，可用于开关领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
包装规格:
特点：
1) 低导通电阻
2）高功率封装（HSMT8）
3) 无铅电镀，符合RoHS标准
4) 无卤素
5) 100%Rg和UIS测试
应用：
• 开关
绝对最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）
*1 Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制
*2 Pw≤10μs，占空比≤1%
*3 L⋍0.1mH, VDD=50V, RG=25Ω, 开始于Tj=25℃ Fig.3-1,3-2
*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）
外形尺寸：
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