【产品】HSMT8封装的N沟道功率MOSFET RH6P040BH，静态漏源导通电阻仅15.6mΩ
罗姆（ROHM）推出的RH6P040BH是一款N沟道功率MOSFET，该器件具有低导通电阻、高功率封装等特点。在绝对最大额定值（Ta =25℃）方面，其漏源电压为100V，连续漏极电流（VGS=10V）为±40A（Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制），耗散功率为59W（Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制）。
在电气特性（Ta=25℃）方面，该器件具有低静态漏源导通电阻，在VGS=10V、ID=40A条件下，其RDS(on)（脉冲）最大值仅为15.6mΩ。该器件采用HSMT8封装，无铅电镀，符合RoHS标准，并通过100%Rg和UIS测试，可用于开关领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
包装规格:
特点：
1) 低导通电阻
2）高功率封装（HSMT8）
3) 无铅电镀，符合RoHS标准
4) 无卤素
5) 100%Rg和UIS测试
应用：
• 开关
绝对最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）
*1 Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制
*2 Pw≤10μs，占空比≤1%
*3 L⋍0.1mH, VDD=50V, RG=25Ω, 开始于Tj=25℃ Fig.3-1,3-2
*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）
外形尺寸：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。
【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q，可实现低导通电阻和快速开关性能
铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种电源应用。
【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ，适用于开关应用
ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ，漏源电压为200V，导通电阻最大值为55mΩ，持续漏极电流为±45A（Tc=25℃），耗散功率（Tc=25℃）为211W。采用TO-263S封装形式，可用于开关应用。
【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω
R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。
【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω
R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。
【产品】10V/10A的N沟道功率MOSFET SLD10N10T/SLP10N10，导通损耗最小，开关性能优越
SLD10N10T/SLP10N10T是美浦森（Maplesemi）推出的采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET，这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的，可提供卓越的开关性能。
【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ，导通电阻最大仅0.234Ω
R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V，连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET，产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有快速反向恢复时间，快开关速度，低导通电阻的特点，适用于开关类应用。
【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列，采用TO-3PF封装
R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET，型号分别包括R6015KNZ、R6020KNZ、R6024KNZ、R6030KNZ、R6035KNZ五个型号，连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对环境友好，采用TO-3PF封装，适用于开关应用。
【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流
NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
【产品】600V/±9A的N沟道功率MOSFET R6009ENX，具有地导通电阻、开关速度快等特点
罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6009ENX，漏源电压额定值为600V，连续漏极电流额定值为±9A（Tc=25℃），静态漏源导通电阻最大值仅为0.535Ω，导通损耗小且自身发热少，具有开关速度快、低导通电阻和无铅电镀（符合RoHS标准）等特点，是开关应用领域的优秀选择。
【元件】NCE新推漏-源电压100V的N沟道功率MOSFET NCEP01T25LL，适用于高频开关和同步整流
NCE（新洁能）新推出NCEP01T25LL的N沟道功率MOSFET，运用一种独特地优化超级沟槽技术，以提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON) 和Qg的超低组合，导通和开关功耗达到最低。该器件是高频开关和同步整流的绝佳选择。
【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN，100%Rg和UIS测试
RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET，产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，且通过了100%Rg和UIS测试，主要用于开关类应用。
【产品】650V/±7A/46W N沟道功率MOSFET R6507ENX，采用TO-220FM封装
R6507ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为±7A，脉冲漏极电流最大额定值为±21A，耐压能力强，适用于开关类应用。
【产品】N沟道功率MOSFET AP150N03G，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点
AP150N03G是铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点，TC=25℃时，该器件漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，可应用于负载开关，PWM应用等电路场景。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论