【产品】P沟道增强型MOSFET AM3095，采用SOT89-3封装，温度均为-55°C~150°C
AIT公司推出的AM3095是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3095的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-6.6A、脉冲漏极电流-26.4A、耗散功率3.6W、工作结温和存储温度均为-55°C~150°C。
产品描述：
VDS=-30V
VGS=±12V
ID(A)=-6.6A
当VGS=-10V 时，RDS(ON)=45mΩ(典型值)
当VGS=-4.5V时，RDS(ON)=52mΩ(典型值)
当VGS=-2.5V时，RDS(ON)=68mΩ(典型值)
采用SOT89-3封装，引脚分布如下：
产品特性：
快速开关
低栅极电流
高功率和电流处理能力
采用SOT89-3封装
产品应用：
便携式设备
电源管理
负载开关
订购信息：
P沟道MOSFET：
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