【应用】最高耐压1700V的SIC MOS管P3M171K0K3助力户用光储一体机辅源设计，静态漏源导通电阻低至1Ω

时间： 2022-11-29 来源：世强

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

随着全球经济的快速发展，伴随地球气候变暖，国家提出双碳政策，使得储能产业迎来巨大的风口红利，而光伏发电行业已经非常成熟，户用光储一体机是储能PCS的衍生产品，它是一种适用于并网、离网联合系统的新型变流器设备，将光伏、电池直流耦合后高效输出电能，适用于无电地区供电，电网弱或断电次数多的地区。

而每一台户用光储一体机都有一套或者两套辅助电源来给主控部分控制芯片和驱动电路供电。本文介绍的是功率为10kW左右的户用三相机型，一般100W以内的辅助电源就可以满足要求。

图1 P3M171K0K3应用于单管反激拓扑图

光储逆变器中一般会有一套或者两套辅助电来给控制电路和驱动电路供电，针对800-1000V高压系统，一般十几KW的三相户用光储一体机辅助电源则需要100W以内的辅助电源就可以满足，设计拓扑为单管反激拓扑如上图1。

在方案中，使用国产派恩杰1700V的SIC MOS管P3M171K0K3助力光储辅助电源设计，该产品适用于800-1000的母线电压系统，使用SIC MOSFET可使辅助电源效率更高，体积更小，成本更低。

国产派恩杰1700V的SIC MOS管P3M171K0K3助力户用光储一体机辅源设计，具有几下几点优势:

1、最高耐压为1700V，满足800-1000V母线电压系统，耐压余量空间大，防止MOS管关断时产生的电压尖峰而损坏；

2、静态漏源导通电阻低至1Ω，相比SI基MOS管，低的Rds利于减小开关损耗，有利于提高效率；

3、总栅极电荷Qg典型值为7.4nC，开关损耗低，效率高，具有更好的开关特性；

4、漏极持续电流为4A@100℃，针对100W以内的辅助电源设计较高的的电流余量；

5、器件总耗散功率最大额定值为68W，工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，可适应广泛的工业温度范围；

6、采用的是TO247-3常规封装，可直接替换Si MOS使用，可以去掉散热器，降低成本；

7、国产器件，大批量出货，具有样品快速支持，供货交期、产品价格均有很好的保障；

P3M171K0K3的封装尺寸

综上所述，使用国产派恩杰1700V的SIC MOS管P3M171K0K3,可提高电源效率，提供功率密度，降低成本，从综合成本和性能优势来看相比其他进口的SIC MOSFET具有更高的性价比。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由陌吠提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】国产SiC MOS管WM1A01K170K助力光储辅助电源设计，耐压高达1700V

本文重点介绍国产中电国基南方1700V的SIC MOS管助力光储辅助电源设计，光储逆变器中，一般会有一套或者两套辅助电来给控制电路和驱动电路供电，针对1500V高压系统，200KW的组串式储能系统辅助电源则需要150W-200W的辅助电源。

2021-11-16 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】派恩杰650V SIC MOSP3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有卓越的栅氧层可靠性

某客户将派恩杰的SiC MOS管P3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有优异的性能。派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。

2023-03-26 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】650V SIC MOS管P3M06120K3用于汽车空调压缩机控制器，符合AEC-Q101要求

本文介绍了派恩杰650V的SIC MOS管P3M06120K3在3KW汽车空调压缩机控制器的应用。该MOS管符合AEC-Q101的要求，漏源极击穿电压650V，高阻断电压，低导通电阻；采用TO-247-3封装；能有效提高功率密度，降低系统成本。

2023-03-16 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

2023-11-15 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

P3M171K0K3 N-Channel Enhancement Mode SiC MOS

型号- P3M171K0K3

Oct. 2021 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver. 2.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A

汽车单体DC-DC项目中，为了实现逆变时的软开关故一般采用移相全桥拓扑，移相全桥结构可实现零电压开关（ZVS）所以可减小功率开关管的开关应力降低开关时的功率损耗；移相全桥拓扑中将至少使用4颗功率开关管如IGBT或者SIC MOSFET；推荐使用派恩杰的碳化硅场效应管P3M06040K3，其具有导通内阻小，漏极过流能力强的特点。