【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR20NS65AFG，漏源电压最大额定值高达650V
FIR20NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用Silan的DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。此外，该系列器件还支持通用应用特性，例如，可用于硬交换拓扑和软交换拓扑应用。器件封装及产品图示如下：
器件特征
20A,650V,RDS(on)(典型值)=0.2Ω@VGS=10V
器件采用创新的革命性高压技术
器件具有超低栅极电荷特性
支持周期性雪崩额定值
具有超乎寻常的dv/dt额定值
器件具有高峰值电流能力特性
绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)
热阻值
漏-源二极管额定值和电气参数
Note：
1.L=79mH,IAS=4.2A,VDD=100V,RG=25Ω,TJ=25℃起始；
2.VDS=0~400V,ISD≤20A,TJ=25℃;
3.VDS=0~480V;
4.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5.几乎与工作温度无关；
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现货市场
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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