【产品】雪崩击穿电压高达600V的N沟道MOSFET，大功率开关电源理想选择
P3F60HP2/P4F60HP2/P5F60HP2/P7F60HP2是新电元（SHINDENGEN）公司推出的多款针对工业化应用的N沟道MOSFET，相对于P沟道MOS管，导通电阻更小，并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为3.0/4.0/5.0/7.0A，性能稳定可靠，具有高电压，低导通电阻，高切换速度，高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。是设计中大功率开关电源的理想选择。广泛使用于高速脉冲放大器，驱动器，负载/电源开关等应用。
采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FTO-220AG，是一款具体尺寸为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。
图1 P3F60HP2外部视图
P3F60HP2/P4F60HP2/P5F60HP2/P7F60HP2的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率Pt为52.5/62.5/65.0/79.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为1.92/1.5/1.17/0.88Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为10.0/12.5/15.0/19.0 nC。
图2 P3F60HP2典型输出特性及转移特性曲线
P3F60HP2/P4F60HP2/P5F60HP2/P7F60HP2的主要特点：
• 最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流（DC）Id为3.0/4.0/5.0/7.0A，最大总耗散功率Pt为52.5/62.5/65.0/79.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为1.92/1.5/1.17/0.88Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为10.0/12.5/15.0/19.0 nC
• 采用FTO-220AG封装, 尺寸大小为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）
P3F60HP2/P4F60HP2/P5F60HP2/P7F60HP2的典型应用：
• 高速脉冲放大器
• 驱动器
• 负载/电源开关
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
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