【产品】中压P沟道MOSFET SL2309，导通电阻低至140mΩ，适用于功率开关和DC-DC转换器

时间： 2023-08-20 来源：SLKOR官网

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深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管、三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。本文介绍的是萨科微SLKOR 中压MOS管 SL2309。

SL2309是萨科微半导体推出的一款中压P沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优异的性能特点。该器件采用了萨科微自主研发的碳化硅功率器件技术，具有更高的工作温度、更高的开关速度和更低的导通电阻，适用于多种应用场景。

应用背景

MOS管有着在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；低功耗、性能稳定、抗辐射能力强，制造成本低廉与使用面积较小、高整合度；极强的大电流处理能力，可以方便地用作恒流源等特点。因而现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。

产品介绍

SL2309是一款中压P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高速开关特性。该器件的漏源电压为-60V，连续漏极电流为-1.6A，功率为1.5W。此外，SL2309还具有低阈值电压和低输入电容等特点，非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。

萨科微SLKOR中压MOS管SL2309产品图

SL2309具有优异的性能特点。其中，导通电阻（R_DS(on)）为140mΩ@10V, 1.5A，即在-10V电压下，-1.5A电流下，器件的导通电阻为140mΩ。阈值电压（V_gs(th)）为-2V@250μA，表示在-250uA电流下，器件的阈值电压为-2V。栅极电荷（Q_g）为11.3nC@10V，指在-10V电压下，器件的栅极电荷为11.3nC。输入电容（C_iss）为444.2pF@30V，反向传输电容（C_rss）为17.9pF@30V。这些参数都是评估器件性能的重要指标，可以帮助用户选择合适的器件应用于不同的场景中。

萨科微SLKOR中压MOS管SL2309产品背面图

此外，该器件的工作温度范围为-55℃~+150℃，在这个温度范围内，器件可以正常工作，温度范围比较广泛，有利于适应不同的工作环境。封装为SOT-23-3。这种封装的器件体积小、重量轻，可以方便地集成到各种电路板中，提高了电路板的密度和可靠性。SL2309的工作温度范围和封装都说明了该器件的适用性和灵活性，可以满足不同应用场景的需求。

萨科微SLKOR中压MOS管SL2309产品参数

SL2309具有多种优秀特性，因此适用于多种应用领域，包括DC-DC转换器、电池管理、电机驱动、电源开关和LED驱动等。其中，DC-DC转换器是其主要应用之一，它可以在应用中实现高效率的电能转换。此外，SL2309还可以用于电池管理，包括电池充放电控制、电池保护和电池状态监测等功能，从而确保电池的安全和稳定性。

在电机驱动方面，它可以用于各种电机的驱动和控制，包括步进电机、直流电机和交流电机等，实现精准控制和高效能耗。在LED驱动方面，SL2309可以用于各种LED灯的驱动和控制，包括LED照明、LED显示和LED背光等，实现高亮度、高效能耗和长寿命的LED应用。可以说，SL2309具有广泛的应用领域，可以满足不同领域的电源管理需求。

总结

总之，SL2309是一款性能优异的中压P沟道MOSFET，适用于多种应用场景，包括DC-DC转换器、电池管理、电机驱动、电源开关和LED驱动等。但需要注意的是，此器件为静电敏感器件，操作时需注意防静电措施。同时，操作时需注意器件额定电压和电流，以免损坏器件。

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