【产品】N沟道增强型MOSFET QXM05N100，采用先进的沟槽式技术，适用于电池保护
N沟道增强型MOSFET QXM05N100采用先进的沟槽式技术，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
汽车和其他应用的S前缀需要独特的现场和控制变更要求：AEC-Q101合格，PPAP能力。
一般特性：
VDS=100V ID=5A
RDS（ON）<120mΩ@VGS=10V
应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
引脚描述：
封装标识和订购信息
绝对最大额定值（TC=25℃除另有说明）
电气特性（TJ=25℃，除另有说明）
注：
1、测试的数据通过表面安装在带有2OZ铜的1平方英寸FR-4板上。
2、测试数据采用脉冲，脉宽≤300μs，占空比≤2%。
3、耗散功率受150℃结温的限制。
4、理论上ID与IDM相同，但在实际应用中，应受总耗散功率的限制。
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