【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G

时间： 2019-01-03 来源：CENTRAL

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Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅晶体管——CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装。该器件专为小信号通用放大器和开关应用而设计。其产品实物图如图1所示。

图1.硅互补晶体管CMLT2207G产品实物图

硅互补晶体管CMLT2207G的的集电极-基极电压V_CBONPN晶体管为75V，而PNP晶体管为60V；集电极-发射极电压V_CEONPN晶体管为40V，而PNP晶体管为60V；发射极-基极电压V_EBO NPN晶体管为6.0V，而PNP晶体管为5.0V。另外，其热阻为357°C/W，工作和存储结温均为-65 °C~+150 °C，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。同时，该器件具有低反向漏电流，I_CEV的最大值为50nA（V_CE=30V, V_EB(OFF)=500mV）。其封装尺寸、引脚说明图如图2所示。

图2.硅互补晶体管CMLT2207G封装尺寸、引脚说明图

另外，硅互补晶体管CMLT2207G 的NPN晶体管的特征频率，在不同的条件下其最小值f_T为300MHz，而PNP晶体管200MHz；当I_C=500mA, I_B=50mA时， NPN晶体管集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)最大值为1.0V，而PNP晶体管集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)最大值为1.6V。晶体管极间电容C_ob最大值均为8.0pF（V_CB=10V, I_E=0, f=1.0MHz）。产品具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。

硅互补晶体管CMLT2207G的主要特点：

• 集电极-基极电压V_CBO NPN与PNP分别为75V和60V

• 集电极-发射极电压V_CEONPN与PNP分别为40V和60V

• 发射极-基极电压V_EBO NPN与PNP分别为6.0V和5.0V

• 其耗散功率P_D为350mW（T_A=25℃）

• 集电极连续电流I_C为600mA

• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C

• 热阻为357°C/W

• 采用SOT-563封装

硅互补晶体管CMLT2207G的典型应用：

• 小信号通用放大器和开关

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海绵宝宝 Lv7. 资深专家 2019-03-09

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