【产品】采用QFN3x3封装的P沟道功率MOSFET DI050P02PT，适用于电池管理单元等领域
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI050P02PT的P沟道功率MOSFET，器件采用QFN3x3外壳封装，具有导通电阻低，开关速度快，栅极电荷低等特点。最大额定值参数方面，TA=25℃时，漏-源电压为-20V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压为±12V，耗散功率为35.7W（TC=25℃），允许通过的漏极直流电流为-50A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为-180A， 当-VGS =10V，-ID =15A时，其漏源导通电阻典型值为7.6mΩ，最大值为10mΩ，当-VGS =4.5V，-ID =8A时其漏源导通电阻最大值为13mΩ，工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关以及商业/工业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：
主要特征
微型封装，可节省空间
低剖面，封装高度低
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
电源管理单元
电池供电设备
负载开关
商业/工业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约 0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
1.详细信息请查阅我们网站或数据手册开头
2.TA=25℃除非另有特殊说明
3.测量散热器（漏极）区域
4.脉冲宽度：参考SOA图
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
|
150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DI035P04PT P沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。
型号- DI035P04PT,DI035P04PT-AQ
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型号- DI043P04PT-AQ
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型号- DI8A6C03SQ
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型号- DI017P03PT2-AQ,DI017P03PT2
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最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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