支持1.8、2.5、3.0V和宽压电源供电的SPI NOR Flash,内存架构灵活,数据可保留20年

2021-08-17 兆易创新
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兆易创新SPI NOR Flash提供高性能和安全特性,可满足当今应用多样化设计需求。


SPI NOR Flash - 主要特性

●支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电

●提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式

●四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s,优于许多异步并行闪存

●内存架构灵活自如(扇区大小:4K bytes,块大小:32/64K bytes)

●高可靠性,数据保留时间20年,编程/擦除周期达100000次

●工作温度范围:-40℃~85℃

●提升的代码执行速度、简化的接口和较少的引脚等


Known Good Die

除了标准封装Flash产品之外,我们还提供Known Good Die(KGD)产品。KGD是芯片组供应商在向客户提供系统级封装(SiP)时的首选,有助于简化系统设计并减小器件尺寸。


该系列SPI NOR flash有四种工作电压可选,其特点分别介绍如下:

1、1.65-3.6V 宽压 SPI NOR Flash

单电源电压:1.65V-3.6V

高速时钟频率:30pF载荷快速读取时最大可达80MHz

输入/输出(I/O):

●双通道数据吞吐量高达160Mbit/s

●四通道数据吞吐量高达320Mbit/s


2、3.0V SPI NOR Flash

单电源电压:2.7V-3.6V

高速时钟频率:30pF载荷快速读取时最大可达120MHz

输入/输出(I/O):

●双通道数据吞吐量高达240Mbit/s

●四通道数据吞吐量高达480Mbit/s


3、2.5V SPI NOR Flash

单电源电压:2.3V-3.6V

高速时钟频率:30pF载荷快速读取时最大可达104MHz

输入/输出(I/O):

●双通道数据吞吐量高达208Mbit/s

●四通道数据吞吐量高达416Mbit/s


4、1.8V SPI NOR Flash

单电源电压:1.65V-2.0V

高速时钟频率:30pF载荷快速读取时最大可达133MHz

输入/输出(I/O):

●双通道数据吞吐量高达266Mbit/s

●四通道数据吞吐量高达532Mbit/s


技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25LQ64C,是低功耗SPI NOR Flash产品系列,其主要参数:容量64Mbit,工作电压2.7V~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1uA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25LQ64C具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,且可提供多种封装产品。具体参数见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163316.html

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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25Q64C,是低功耗SPI NOR Flash产品系列,其主要参数:容量64Mbit,工作电压2.7V~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1uA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25Q64C具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,且可提供多种封装产品。具体参数见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163329.html

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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25WD80C,是低功耗SPI NOR Flash产品,其容量4Mbit,工作电压2.7~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1μA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25Q40CSIG具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,封装SOP8 208mil。具体见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163323.html

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