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电路和封装图
特性
●能够实现2.5V栅极驱动
●小尺寸且具有超低导通电阻
●符合RoHS标准且无卤素
绝对最大值（Tc=25℃，除非另有说明）
热阻
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
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ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
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N
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20
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±8
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0.5-1.2
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-
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45/52
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52/67
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-
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2
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
DI050N06D1 N沟道功率MOSFET\n
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型号- DIW085N06,DIW085N06-Q
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
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最小起订量： 10000 提交需求>
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