【产品】最大传播延迟0.2µs的光耦合器，符合RoHS标准，具有迟滞的欠压锁定保护功能
奥伦德推出的光耦合器OR-3120(A)/OR-3150(A)由一个LED发光二极管组成，一个LED发光二极管通过光耦合至具有功率输出级的集成电路上组成。该光耦合器非常适合驱动功率IGBT和MOSFET，该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。
产品外型如下图：
特性：
(1)OR-3150(A)的最大峰值输出电流为1.5A，OR-3120(A)的最大峰值输出电流为3.0A
(2)VCM=1500V时的最小共模抑制(CMR)为35kV/µs
(3)1.0V最大低电平输出电压 (VOL) 无需负栅极驱动
(4)ICC=5mA最大电源电流
(5)具有迟滞的欠压锁定保护 (UVLO)
(6)宽工作VCC电压范围：15V至35V
(7)最大传播延迟0.2µs
(8)器件/通道之间的最大延迟为±0.35µs
(9)工业温度范围：–40℃至110℃
(10)安全认证
UL认证 （编号E323844）
VDE认证（编号40029733）
CQC认证 （编号CQC19001231254）
(11)符合RoHS、REACH标准
(12)MSL一级
应用：
(1)IGBT/MOSFET栅极驱动
(2)交流/无刷直流电机驱动
(3)工业逆变器
(4)开关模式电源
功能图及参数
绝对最大额定值 (Ta=25℃)*1
推荐操作条件
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由枫婷翻译自奥伦德，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】如何检查和测量光耦合器的好坏
光耦合器结构亦称历史光电网络隔离器或光电通过耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出一个光线，受光器接受不同光线通过之后就产生最大光电流，从输出端流出，从而可以实现了“电—光—电”转换。奥伦德将在本文介绍如何检查和测量光耦合器的好坏。
HGD341W IGBT栅极驱动光耦合器（HGD341W IGBT Gate Drive Opto-coupler）
描述- 本资料介绍了厦门华联电子股份有限公司生产的HGD341W栅极驱动光耦合器。该产品适用于驱动功率IGBT和场效应管，广泛应用于电机控制逆变器等应用。其主要特点包括3A最大峰值输出电流、宽电源电压工作范围、快速开关速度和高绝缘电压。
型号- HGD341W
QXM341L 栅极驱动光耦（QXM341L Gate Drive Optocoupler）
描述- QXM341L是一款3A输出电流的栅极驱动光电耦合器，适用于电机控制领域的功率IGBT和MOSFETs。它具有35kV/us的共模抑制、3A的最大峰值输出电流、10至30V的宽电源电压范围，以及-40℃至+105℃的工作温度范围。产品符合加强绝缘标准和多项安规标准，适用于开关电源、LGBT/MOSFET栅极驱动、交流和无刷直流电机驱动、可再生能源逆变器以及工业逆变器等领域。
型号- QXM341L-UNY-W(V)(ZZ),QXM341L
HGD314×IGBT栅极驱动光耦
描述- 本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD314型栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于电机控制逆变器等领域。
型号- HGD314×
HK3120 2.5A IGBT栅极驱动光耦
描述- 该资料介绍了HK3120光耦合器，这是一种适用于驱动功率IGBT和MOSFET的光电耦合器件。它包含AlGaAs红外发光二极管、集成光电检测器和IGBT驱动器，具有高工作电压范围，适合电机控制逆变器应用。产品特性包括2.5A典型峰值输出电流、宽工业温度范围、快速开关速度、低传播延迟差等。
型号- HK3120
QX332J 智能栅极驱动光耦（QX332J Smart Gate Driver Optocoupler）
描述- 宁波群芯微电子股份有限公司生产的QX332J是一款2.5A智能栅极驱动光耦，适用于电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs。该产品具有高隔离电压、低传播延迟、米勒钳位、欠压锁定保护等特性，适用于隔离型IGBT或隔离型功率MOSFET的栅极驱动、交流和直流无刷电机驱动器、工业逆变器、不间断电源等领域。
型号- QX332J-UNY-W(V)(ZZ),QX332J
【产品】输出电流2.5A的IGBT栅极驱动器光耦合器QX332J，绝缘峰值电压1230V
群芯微推出一款先进的2.5A输出电流、易于使用的IGBT智能栅极驱动器QX332J,价格合理且易于实施。可应用于隔离式IGBT/功率MOSFET栅极驱动,交流和无刷直流电机驱动,工业逆变器和不间断电源 (UPS)等行业。
【产品】国产光电压输出型光耦合器HPV7A13S，适用于功率MOSFET或IGBT的栅极驱动
华联电子推出的光电压输出型光耦合器HPV7A13S由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级耦合到高电压输出光探测电路，光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成，适用于功率MOSFET或IGBT的栅极驱动。
HGD341P IGBT 栅极驱动光耦合器产品规格书（IGBT Gate Drive Opto-coupler SPECIFICATION）
描述- 本资料为厦门华联半导体科技有限公司生产的HGD341P栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于电机控制逆变器等应用场景。
型号- HGD341P
HGD313H IGBT栅极驱动光耦合器（HGD313H IGBT Gate Drive Opto-coupler）
描述- 本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD313H栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和场效应管，广泛应用于电机控制逆变器等应用。
型号- HGD313H
HGD341P IGBT栅极驱动光耦合器（HGD341P IGBT Gate Drive Opto-coupler）
描述- 本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD341P型栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和场效应管，广泛应用于电机控制逆变器等应用。
型号- HGD341P
HGD152 IGBT 栅极驱动光耦合器产品规格书（HGD152 IGBT Gate Drive Opto-coupler SPECIFICATION）
描述- 本资料为厦门华联半导体科技有限公司生产的HGD152栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和场效应管，广泛应用于电机控制逆变器等应用场景。规格书详细介绍了产品的特性、应用、电原理图、极限参数、推荐工作条件、光电参数、外形尺寸、标志、包装方式、使用注意事项、产地等信息。
型号- HGD152
HGD3120× IGBT栅极驱动光耦合器（HGD3120× IGBT Gate Drive Opto-coupler）
描述- 本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD3120栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于电机控制逆变器等领域。
型号- HGD3120×,HGD3120S,HGD3120D
QX480高CMR智能功率模块及栅极驱动接口光电耦合器
描述- 该资料介绍了QX480高速光耦合器的技术规格和应用。它包含GaAsP LED和光电探测器，具有施密特触发器和图腾柱输出，适用于智能功率模块和栅极驱动。产品具备宽工作温度和电压范围，低传播延迟和高的共模抑制比（CMR）。应用领域包括IPM接口隔离、IGBT/MOSFET门驱动器、交流和无刷直流电机驱动等。
型号- QX480-UNY-W,QX480-FEH-W,QX480,QX480-FEL-W,QX480-CUH-P
HPV7A11S 光电压输出型光耦合器产品规格书 (HPV7A11S Photovoltaic MOSFET Driver SPECIFICATION)
描述- 本资料为厦门华联半导体科技有限公司生产的HPV7A11S光电压输出型光耦合器的产品规格书。该产品由砷化铝镓红外发光二极管输入级耦合到高电压输出光探测电路，适用于功率MOSFET或IGBT的栅极驱动。产品具有高绝缘电压、微型封装等特点，适用于电子电路电压源和固态继电器驱动。
型号- HPV7A11S
电子商城
现货市场
服务
可定制电机的连续转矩范围1Nm至2000Nm，峰值转矩3Nm至5500Nm，电机延长线长度、变换编码器类型。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制插座连接器的间距1.25mm~2.54mm；列数：单列/双列/三列/四列；端子类型：直焊针、直角焊针、表面贴装式、无焊柔性针压接、绕接、载体.；镀层、车针长度/直径、连接针长度等参数可按需定制。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论