【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2，传导损耗小
美浦森（Maplesemi）推出的SLP70R420S2和SLF70R420S2为两款N沟道MOSFET，该产品是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为尽可能减小传导损耗、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。
图1 产品封装图
主要特性：
11A，700V，RDS(ON)typ =0.37Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典型值24nC）
高鲁棒性
快速开关
100%雪崩测试
更好的dv/dt能力
表1 极限参数
表2 热阻值
表3 电气特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7，采用先进的沟槽技术，这种先进技术适合于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】500V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N50S2/SLF5N50S2，采用TO-220/-F封装
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP5N50S2和SLF5N50S2，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S，漏源电压650V
美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展
2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论