【选型】1500V光伏逆变器系统用SIC MOS推荐国产P3M17040K4，导通内阻低至40mΩ
客户设计一款组串式光伏逆变器，采用1500VDC系统，传统的1200V功率器件的耐压值无法满足1500V系统的设计要求，需要1700V的SIC MOS来完成BOOST+三电平部分的拓扑。功率逆变部分简单的框图如下：
本文推荐派恩杰的SIC MOS P3M17040K4，P3M17040K4是一颗N沟道增强模式的SIC MOS，具有高阻断电压及低导通电阻，Rds(on）导通内阻典型值40mΩ，额定电流73A（25℃），工作结温最高可达175℃，比IGBT提高了50度。内部拓扑如下：
综上所述，在1500V光伏逆变器系统使用派恩杰P3M17040K4具有以下优点：
1、导通内阻低，发热小、效率高；
2、工作结温高，减小对散热的要求，便于设计；
3、栅-漏电荷Qgd低至77.9nC，开通速度快。
综上，在1500V光伏逆变器系统可使用派恩杰P3M17040K4进行设计。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由刘阳提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块
针对光伏发电系统逆变器，世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。
【选型】SIC MOS管P3M171K0G7用于汽车电驱项目，输出电容储存能量低至9.4uJ
派恩杰推出的SIC MOS P3M171K0G7，漏源耐压1700V,具有导通内阻低，同时输出电容储存能量低至9.4uJ的特点；本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装尺寸方面进行分析，讨论在汽车电机驱动领域作为功率开关时的应用优势。
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
|
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035G7型号SiC MOSFET的特性、参数和应用。该产品适用于高电压直流/直流转换器和开关模式电源等应用，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点。
派恩杰 - N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,P3M06035G7,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案
本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - IGBT模块,RTC,WIFI模块,驱动光耦,SIC场效应晶体管,SIC二极管,半导体制冷片TEC,干簧继电器,PCB导热材料,SIC MOSFET,接线端子,导热垫片,单片机,TVS,实时时钟,隔离芯片,相变材料,电流传感器,驱动IC,滤波磁环,MCU,TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K,光伏系统,1500VDC系统,光伏逆变器
【产品】650V/97A的SiC MOS助力低压治理，导通内阻低至25mΩ，提高频率同时减小磁性元件体积
本文推荐派恩杰P3M06025K4，是一款650V/97A的SiC MOS，相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率同时减小磁性元件体积从而实现更高功率密度。系统母线电压600V左右，选用650V的SiC MOS满足系统需求且留有余量。
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
本资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035K4型号SiC MOSFET，这是一种N沟道增强型SiC MOSFET。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
派恩杰 - N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,P3M06035K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
P3M171K0K3 N沟道增强型SiC MOS
该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M171K0K3型号碳化硅(SiC) MOSFET的特性。它是一种增强型N沟道功率开关器件，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。资料涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能等方面。
派恩杰 - N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,P3M171K0K3,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
P3M171K0G7 SiC MOS N沟道增强模式
该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M171K0G7型号碳化硅（SiC）MOSFET器件。这是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。资料涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能等方面。
派恩杰 - 碳化硅金属氧化物半导体,SIC MOS,P3M171K0G7,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
【应用】SiC MOSFET在光伏逆变器中替代IGBT单管做BOOST电路
Littelfuse推出的一款80mΩ/1200V的SiC MOS管 LSIC1MO120E0080，采用的是TO-247-3封装，开通时间仅为10ns，关断时间16ns，栅极电荷Qg低至95nC。
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12020K4型号SiC MOSFET的特性、参数和应用。该器件是一款N沟道增强型SiC MOSFET，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源等应用。
派恩杰 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOSFET,N沟道增强型SIC MOSFET,P3M12020K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
积极布局光伏市场，爱仕特科技SiC功率器件助力光伏逆变器企业提高转换效率、降低系统损耗
面向光伏逆变器功率更大、效率更高、体积更小、成本更低，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装的发展方向，爱仕特科技依托技术驱动，推出了全新一代SiC MOS以及EasyPACK、EasyPIM模块产品，已通过相关电性能测试评估及可靠性考核，实现功率密度最大化。
【应用】派恩杰650V SIC MOSP3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有卓越的栅氧层可靠性
某客户将派恩杰的SiC MOS管P3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有优异的性能。派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。
P3M12120K4 N沟道增强型SiC MOS
该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12120K4型号SiC MOSFET。该器件采用N沟道增强型设计，具备高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等应用。
派恩杰 - N沟道增强模式SIC MOS,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOS,P3M12120K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论