【应用】N沟道MOS RM50N150DF用于5G小基站,导通电阻小于19mΩ
5G小基站是实现5G网络覆盖的关键组成部分,一般应用在流量需求大的热点区域,如大型商场等。目前各运营商都在进行5G基础设施,未来将实现5G网络环境的覆盖,极大的改善人们的使用体验。
5G小基站的设计中,当然也离不开传统的功率器件的需求,例如大电流的MOS管等。本文推荐丽正国际的N沟道MOS RM50N150DF,应用在小基站的设计中,耐压可以达到150V,导通电流达到50A。
RM50N150DF用在5G小基站的设计中有以下特点:
1、导通电阻小于19mΩ,采用了先进的沟槽技术和设计,能够提供非常低的导通电阻,有利于产品整体设计。
2、漏极饱和电流为50A,最大脉冲电流可以达到200A,可以满足大电流应用的设计。
3、关断是的最大漏电流为1μA,有利于产品低功耗的设计。
4、耗散功率最大为100W。
5、工作结温和存储温度范围微-55℃至175℃,可以满足小基站设计的环境要求。
6、采用DFN5X6-8的封装。
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型号- RM100N10QT2,DTC113ZCA,TEP5Z7V0,DTC114TUA,2SA1235A,FMD1S-D7S,RL1601C-1607C,DTA123YKA,FM5820-5822,TEP05DP,DAN217U,DB201S-207S,MMBT4401,DTA144EKA,RB50V-40,TO-247,MMBT4403,MMBZ5259B,MM1Z5221B,SLDB101S-107S,05N17-19,MUR120-160,FM5817F-19F,SR1550P,TEP0803L,RS-6 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