【应用】N沟道MOS RM50N150DF用于5G小基站，导通电阻小于19mΩ

时间： 2022-03-12 来源：世强

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5G小基站是实现5G网络覆盖的关键组成部分，一般应用在流量需求大的热点区域，如大型商场等。目前各运营商都在进行5G基础设施，未来将实现5G网络环境的覆盖，极大的改善人们的使用体验。

5G小基站的设计中，当然也离不开传统的功率器件的需求，例如大电流的MOS管等。本文推荐丽正国际的N沟道MOS RM50N150DF，应用在小基站的设计中，耐压可以达到150V，导通电流达到50A。

RM50N150DF用在5G小基站的设计中有以下特点：

1、导通电阻小于19mΩ，采用了先进的沟槽技术和设计，能够提供非常低的导通电阻，有利于产品整体设计。

2、漏极饱和电流为50A，最大脉冲电流可以达到200A，可以满足大电流应用的设计。

3、关断是的最大漏电流为1μA，有利于产品低功耗的设计。

4、耗散功率最大为100W。

5、工作结温和存储温度范围微-55℃至175℃，可以满足小基站设计的环境要求。

6、采用DFN5X6-8的封装。

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型号- RM100N10QT2,DTC113ZCA,TEP5Z7V0,DTC114TUA,2SA1235A,FMD1S-D7S,RL1601C-1607C,DTA123YKA,FM5820-5822,TEP05DP,DAN217U,DB201S-207S,MMBT4401,DTA144EKA,RB50V-40,TO-247,MMBT4403,MMBZ5259B,MM1Z5221B,SLDB101S-107S,05N17-19,MUR120-160,FM5817F-19F,SR1550P,TEP0803L,RS-6 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