【产品】反向峰值重复电压1200V的碳化硅肖特基二极管B1D10120HC，电容电荷低至64nC
基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D10120HC具有极低反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关等特点，基本上没有开关损耗、与硅二极管相比系统效率的提高，功率密度增加实现更高的开关频率等优点，并拥有开关模式电源 (SMPS)、不间断电源、电机驱动器、功率因数校正等应用。
特点：
极低反向电流
无反向恢复电流
温度变化不影响开关特性
正向电压上的正温度系数
出色的浪涌电流能力
低电容电荷
优点：
基本上没有开关损耗
与硅二极管相比系统效率的提高
功率密度增加
实现更高的开关频率
减少散热器需求
由于较小的磁性器件，系统成本节约
减少电磁干扰
应用：
开关模式电源 (SMPS)
不间断电源
电机驱动器
功率因数校正
包装参数：
产品型号：B1D10120HC
标注：B1D10120HC
包装：TO-247-3
最大额定值参数：
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型号- B2D20065HC1
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
B3D40065HC SiC肖特基二极管
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型号- B3D40065HC
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型号- B2D40065HC1
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型号- B3D06065K
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