【产品】650V超级结功率MOSFET TPD65R600M，采用TO-252封装
无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出的TPD65R600M是一款650V超级结功率MOSFET。采用了TO-252封装。
TPD65R600M的特点：
•极低FOM RDS(on) x Qg
•100%雪崩测试
•符合ROHS标准
TPD65R600M的应用：
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
TPD65R600M的封装和内部电路：
TPD65R600M的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压为650V，栅源电压为±30V，脉冲漏极电流为21A，重复雪崩能量0.21mJ。连续漏极电流在25℃时为7A，在100℃时为4.2A。单脉冲雪崩能量为142mJ，雪崩电流为1.3A，具有较好的抗浪涌性。功耗为63W，脉冲二极管正向电流为21A。
TPD65R600M标记和封装信息：
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