【产品】硅NPN达林顿功率晶体管，直流增益可达15K
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CP230-CZT122，CP230-TIP122和CP230-2N6039都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，其中，CP230-CZT122和CP230-TIP122参数特性完全一致。它们的实物如图1所示，专为低速开关和放大器应用而设计。具有高耐压、大电流、饱和压降低以及增益系数高等特点。
图1 CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122硅NPN达林顿功率晶体管产品示意图
在工作温度为25℃时，CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122具有较高的耐压值，它们的集电极-基极电压最大额定值分别为80/100/100V,集电极-发射极电压的最大额定值分别为80//100/100V，发射极-基极电压的最大额定值均为5.0V。CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122还具有较高的工作电流，其集电极持续工作电流最大额定值分别为4.0/5.0/5.0A，峰值集电极电流最大额定值均可达8.0A，可满足一般大电流设备的应用需求。CP230-2N6039和CP230-CZT122的存储和工作温度范围为-65~150℃，操作结温最高额定值为150℃，较宽的工作温度范围可以保证其在恶劣的环境下也可以实现可靠的性能，能够满足工业级工作温度要求。
CP230-2N6039在工作温度为25℃的环境下，当VCB=80V时，集电极-基极电流ICBO最大值为500μA；当VCE=80V时，集电极-发射极电流ICEO最大值为100μA。它的饱和压降VCE(SAT)在IC=2.0A,IB=8.0mA时，最大值为2.0V。CP230-2N6039的直流电流放大系数hFE在VCE=3.0V, IC=2.0A的条件下，最小值为750，最大值为15K。它的输出电容在VCB=10V, IE=0, f=100kHz的条件下，最大值为100pF。
CP230-TIP122和CP230-CZT122在工作温度为25℃的环境下，VCB=100V时，集电极-基极电流ICBO最大值均为200μA；VCE=50V时，集电极-发射极电流ICEO最大值为500μA。它的饱和压降VCE(SAT)在IC=3.0A,IB=12mA时，最大值为2.0V。CP230-TIP122和CP230-CZT122的特征频率fT在VCE=4.0V、IC=3A、f=1.0MHz的条件下，最小值为4.0MHz。CP230-TIP122和CP230-CZT122的直流电流放大系数hFE在VCE=3.0V, IC=3.0A或者IC=500mA的条件下，最小值均为1000。它们的输出电容在VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz的条件下，最大值为200pF。
图2 CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122硅NPN达林顿功率晶体管的典型电气特性图
CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122硅NPN达林顿功率晶体管机械参数
·裸片尺寸80x80MILS
·裸片厚度8.0MILS
·基极焊盘尺寸18x27MILS
·发射极焊盘尺寸34x34MILS
·晶圆直径4英寸
CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122硅NPN达林顿功率晶体管突出特点与优势
·集电极-基极电压最大额定值分别为80/100/100V
集电极-发射极电压最大额定值分别为80/100/100V
·发射极-基极电压VEBO最大额定值为5.0V
·集电极连续电流IC最大额定值分别为4.0/5.0/5.0A
·工作和存储温度范围为-65至+150°C
·饱和压降VCE(SAT)最大值均为2.0V(IC=2A,IB=8mA)/(IC=3.0A,IB=12mA)
·CP230-2N6039的直流电流放大系数hFE最小值为750，最大值为15K(VCE=3.0V, IC=2.0A)
·CP230-TIP122和CP230-CZT122的直流电流放大系数hFE最小值均为1000(VCE=3.0V, IC=3.0A或IC=500mA)
CP230-2N6039，CP230-TIP122和CP230-CZT122硅NPN达林顿功率晶体管主要运用领域
·低速开关
·放大器
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由爱吃菠萝的小先生提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计
Central推出的2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计，有着较宽的温度范围，采用了TO-66封装，有着较好的散热性。
【产品】开启时间仅1μs的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计
Central Semiconductor美国中央半导体公司推出的D44E系列器件是硅NPN达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，具有2个集成电阻和1个二极管，专为需要高增益的开关和输出应用而设计。具有电流大、增益高、热阻低等特点。
【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计
CP127-2N6300是Central Semiconductor推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。该产品具有较高的耐压值，集电极-基极电压以及集电极发射极电压均可高达60V，连续集电极电流为8A，峰值集电极电流更是高达16A，可满足一般的大电流的应用需求。
MJD122D硅NPN达林顿功率晶体管
描述- 本资料介绍了MJD122D型硅NPN达林顿功率晶体管。该器件具有低集电极-发射极饱和电压、适用于表面贴装应用的引脚结构、高直流电流增益和良好的批次间一致性，适用于通用放大器和低速开关应用。
型号- MJD122D
D40K系列NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40K系列NPN硅达林顿功率晶体管。这些晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40K1,D40K2,D40K,D40K3,D40K SERIES,D40K4
D40C4 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C4型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用，具有集电极-发射极电压、连续集电极电流、功耗等最大额定值和电气特性。
型号- D40C4 TYPE,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,D40C4
TIP120-TIP122达林顿功率晶体管（NPN）
描述- 本资料介绍了TIP120-TIP122型号的达林顿功率晶体管（NPN型），适用于通用放大器和低速开关应用。这些晶体管符合RoHS标准，采用TO-220封装。
型号- TIP120,TIP121,TIP122
【产品】16A工业级硅互补功率达林顿晶体管，专为低速开关和放大器应用而设计
CJD122（NPN）和CJD127（PNP）是CENTRAL半导体公司推出的表面安装硅互补功率达林顿晶体管，他们具有高耐压、高电流、低饱和压降、低功耗等特点。其采用了DPAK表面贴装封装，专为低速开关和放大器应用而设计。
D44E1 D44E2 D44E3硅NPN达林顿功率晶体管
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D44E系列硅NPN达林顿功率晶体管。这些器件采用外延基工艺制造，具有两个集成电阻和一个二极管，用于稳定和保护。适用于需要高增益的开关和输出应用。
型号- D44E3,D44E1,D44E2,D44E SERIES,D44E
DPAK CASE CJD122 NPN CJD127 PNP SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
描述- 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的两款互补硅功率达林顿晶体管CJD122（NPN）和CJD127（PNP），这些晶体管采用表面贴装封装，适用于低速开关和放大器应用。资料提供了最大额定值、电气特性、封装信息和产品支持服务。
型号- CJD122,PNP,NPN,CJD127
【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管，具有NPN型和PNP型
CENTRAL推出的2N6282/2N6283/2N6284（NPN型）和2N6285/2N6286/2N6287（PNP型）系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管，采用外延基极工艺制造，专为通用大电流，高增益放大器和开关应用而设计。散热性好，具有较宽的工作温度范围。
D40C1 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C1型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40C1 TYPE,D40C1
【产品】外延基板互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计
中央半导体的2N6294，2N6295，2N6296，2N6297系列器件是互补硅达林顿功率晶体管，采用外延基极工艺制造，专为高增益放大器和中速开关应用而设计。该系列晶体管采用了TO-66封装，此种形式的封装散热性能好，具有NPN和PNP两种类型，温度范围宽。
【产品】专为高增益放大器应用设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片，电流放大系数最小值为10K
Central推出的CP329V-MPSA28和CP329V-MPSA29都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。它们具有高耐压、低饱和压降以及增益系数高等特点。
D40C7 NPN硅达林顿功率晶体管
描述- 本文档介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的D40C7型号NPN硅达林顿功率晶体管。该晶体管适用于需要高增益的一般用途放大器应用。
型号- D40C7 TYPE,D40C7
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥0.8136
现货： 16,000
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount Transistor
价格：￥0.5403
现货： 6,000
现货市场
服务
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论