【产品】8A/60V硅NPN达林顿功率晶体管裸片, 专为高增益放大器应用而设计

时间： 2019-03-01 来源：Central

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硅NPN达林顿功率晶体管,NPN达灵顿晶体管,CP127-2N6300,Central Semiconductor

CP127-2N6300是Central Semiconductor（美国中央半导体公司，简称Central）推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管裸片，专为高增益放大器应用而设计。CP127-2N6300 裸片尺寸110x110MILS，厚度10.6MILS，基极焊盘尺寸21x24MILS，发射极焊盘尺寸24x42MILS，详细机械参数见图2。

图1 CP127-2N6300产品外观示意图

图2 CP127-2N6300详细机械尺寸

在最大额定值方面，当T_C=25℃时，CP127-2N6300功率晶体管裸片具有较高的耐压值，集电极-基极电压V_CBO以及集电极发射极电压V_CEO均可高达60V，连续集电极电流I_C为8A，峰值集电极电流I_CM更是高达16A，可满足一般的大电流的应用需求。此外，该产品具有非常强的环境适应性，操作和存储结温范围为-65~200℃，可经受住200℃高温考验，在极度严寒和高温环境中依然能够保证良好的稳定性，详细参数见图3。

图3 CP127-2N6300最大额定值参数表

在电气特性方面，当T_C=25℃时，饱和电压V_CE(SAT) 在I_C=4.0A, I_B=16mA时最大值为2.0V，在I_C=8.0A, I_B=80mA时最大值为3.0V。饱和电压V_BE(SAT) 在I_C=8.0A, I_B=80mA时最大值为4.0 V。导通电压V_BE(ON)在V_CE=3.0V，I_C=4.0A时最大值为2.8V。直流放大系数h_FE在V_CE=3.0V, I_C=4A时，最小值为750，最大值为18K，在V_CE=3.0V, I_C=8A时，最小值为100。特征频率f_T在V_CE=3.0V，I_C=3A，f=1.0MHz时最小值为4.0MHz。极间电容C_ob在V_CB=10V，I_E=0，f=100kHz时最大值200pF。

CP127-2N6300硅NPN达林顿功率晶体管特点：

·集电极-基极电压V_CBO和集电极-发射极电压V_CEO最大额定值为60V

·连续集电极电流I_C最大额定值为8A

·操作和结温范围为-65至+200°C

·集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)最大值2V（I_C=4A，I_B=16mA)

·饱和电压V_BE(SAT) 最大值4.0 V（I_C=8.0A, I_B=80mA）

·导通电压V_BE(ON) 最大值为2.8V（V_CE=3.0V， I_C=4.0A）

·直流放大系数h_FE最小值为750，最大值为18K（V_CE=3.0V, I_C=4A）

·特征频率f_T最小值为4MHz(V_CE=3.0V，I_C=3A，f=1.0MHz)

·极间电容C_ob最大值为200pF(V_CB=10V，I_E=0，f=100kHz)

CP127-2N6300硅NPN达林顿功率晶体管典型应用：

·高增益放大器

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2019/10/10 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 选型指南代理服务技术支持批量订货

D44E1 D44E2 D44E3 SILICON NPN DARLINGTON POWER TRANSISTORS

型号- D44E3,D44E1,D44E2,D44E SERIES,D44E

4-March 2014 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 数据手册 - Version: R1 代理服务技术支持批量订货

PMD10K SERIES (NPN) / PMD11K SERIES (PNP) SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

型号- PMD11K,PMD10K,PMD10K100,PMD10K SERIES,PMD11K100,PMD10K80,PMD11K80,PMD11K SERIES,PMD10K60,PMD11K60

2023/2/11 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 数据手册代理服务技术支持批量订货

【产品】硅NPN达林顿功率晶体管，直流增益可达15K

Central推出的CP230-CZT122，CP230-TIP122和CP230-2N6039都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片，其中，CP230-CZT122和CP230-TIP122参数特性完全一致。它们专为低速开关和放大器应用而设计，具有高耐压、大电流、饱和压降低以及增益系数高等特点。

2018-11-29 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】专为通用开关应用而设的硅NPN达林顿功率晶体管2N6576、2N6577和2N6578

Central半导体公司推出的2N6576、2N6577、2N6578硅NPN达林顿功率晶体管，采用TO-3封装形式，占用电路空间小，是专为通用开关应用而设计的。该系列器件的集电极电流IC为15A，其集电极峰值电流ICM为30A，可满足大电流应用的设计需求。

2018-11-28 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】100V/5.0A NPN型达灵顿晶体管裸片，可用于低速开关和放大器

Central推出的CP230-TIP122是一款NPN型的达灵顿晶体管裸片，具有体积小，高电压，高电流的特性。CP230-TIP122具有高电压的特性，集电极-基极电压VCBO最大值是100V，集电极-发射极电压VCEO最大值是100V，发射极基极电压VEBO最大值是5.0V，产品设计电压较高，在高电压的同时还具有大电流的特性。其连续集电极电流IC最大值5.0A。专用于低速开关和放大器应用。

2018-12-02 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】120V/30A高性能NPN达林顿功率晶体管，开关频率为4MHz

CP147-MJ11016芯片是Central Semiconductor公司推出的一款硅NPN达林顿功率晶体管，专为高电流应用而设计。该芯片的工作温度范围为-65-200℃，最大可承受电压为120V，可通过高达30A的电流，性能极为稳定。集电极-发射极电压偏差为3.0V，具有良好的低功耗性能。

2018-07-10 - 新产品代理服务技术支持批量订货

BU911 SILICON NPN DARLINGTON POWER TRANSISTOR

型号- BU911

19-June 2018 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 数据手册代理服务技术支持批量订货查看更多版本

Darlington Transistors

型号- CP527-2N6299,CP727V-CZTA77,CP127-TIP142,CP630-TIP127,CP127-2N6385,CP147-MJ11014,CP331-CZT2000,CP127-2N6045,CP147-MJ11016,CP382X-CMPT3820,CP527-2N6053,CP127-2N6301,CP527-2N6296,CP753V-CZT953,CP127-2N6300,CP127-2N6388,CP101-BSS52,CP647-2N6,CP353V-CZT853,CP647-MJ11015,CP647-MJ11013,CP527-TIP147,CP647-PMD19K100,CP630-2N6036,CP230-TIP122,CP763V-CZT955,CP127-2N6294,CP527-2N6668,CP341V-CMPT3410,CP727V-CMPTA64,CP727V-MPSU95,CP307V-2N5308,CP527-2N6042,CP230-CZT122,CP247-MJ11016,CP230-2N6039,CP630-CZT127,CP727V-MPSA64

1217 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - 快速参考指南 - R0 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

CP548-2N5116 P-Channel JFET Die

型号- 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