【技术】浅析MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
1.MOS管分为两种类型:N型和P型,如下图所示:
以N型管为例,2端为控制端,称为“栅极”;3端通常接地,称为“源极”;源极电压记作Vss,1端接正电压,称为“漏极”,漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通,栅极2上要加高电平。
对P型管,栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通,栅极5要加低电平。
在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中,N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管,任何时候,只要一只导通,另一只则不导通(即“截止”或“关断”),所以称为“互补型CMOS管”。
2.CMOS逻辑电平
高速CMOS电路的电源电压VDD通常为+5V;Vss接地,是0V。
高电平视为逻辑“1”,电平值的范围为:VDD的65%~VDD(或者VDD-1.5V~VDD)
低电平视作逻辑“0”,要求不超过VDD的35%或0~1.5V。
+1.5V~+3.5V应看作不确定电平。在硬件设计中要避免出现不确定电平。
近年来,随着亚微米技术的发展,单片机的电源呈下降趋势。低电源电压有助于降低功耗。VDD为3.3V的CMOS器件已大量使用。在便携式应用中,VDD为2.7V,甚至1.8V的单片机也已经出现。将来电源电压还会继续下降,降到0.9V,但低于VDD的35%的电平视为逻辑“0”,高于VDD的65%的电平视为逻辑“1”的规律仍然是适用的。
3.非门
非门(反向器)是最简单的门电路,由一对CMOS管组成。其工作原理如下:A端为高电平时,P型管截止,N型管导通,输出端C的电平与Vss保持一致,输出低电平;A端为低电平时,P型管导通,N型管截止,输出端C的电平与VDD一致,输出高电平。
4.与非门
与非门工作原理:
①、A、B输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,C端电压与VDD一致,输出高电平。
②、A输入高电平,B输入低电平时,1、3管导通,2、4管截止,C端电位与1管的漏极保持一致,输出高电平。
③、A输入低电平,B输入高电平时,情况与②类似,亦输出高电平。
④、A、B输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,C端电压与地一致,输出低电平。
5.或非门
或非门工作原理:
①、A、B输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,C端电压与VDD一致,输出高电平。
②、A输入高电平,B输入低电平时,1、4管导通,2、3管截止,C端输出低电平。
③、A输入低电平,B输入高电平时,情况与②类似,亦输出低电平。
④、A、B输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,C端电压与地一致,输出低电平。
注:将上述“与非”门、“或非”门逻辑符号的输出端的小圆圈去掉,就成了“与”门、“或”门的逻辑符号。而实现“与”、“或”功能的电路图则必须在输出端加上一个反向器,即加上一对CMOS管,因此,“与”门实际上比“与非”门复杂,延迟时间也长些,这一点在电路设计中要注意。
6.三态门
三态门的工作原理:
当控制端C为“1”时,N型管3导通,同时,C端电平通过反向器后成为低电平,使P型管4导通,输入端A的电平状况可以通过3、4管到达输出端B。
当控制端C为“0”时,3、4管都截止,输入端A的电平状况无法到达输出端B,输出端B呈现高电阻的状态,称为“高阻态”。
这个器件也称作“带控制端的传输门”。带有一定驱动能力的三态门也称作“缓冲器”,逻辑符号是一样的。
注:从CMOS等效电路或者真值表、逻辑表达式上都可以看出,把“0”和“1”换个位置,“与非”门就变成了“或非”门。对于“1”有效的信号是“与非”关系,对于“0”有效的信号是“或非”关系。
上述图中画的逻辑器件符号均是正逻辑下的输入、输出关系,即对“1”(高电平)有效而言。而单片机中的多数控制信号是按照负有效(低电平有效)定义的。例如片选信号CS(Chip Select),指该信号为“0”时具有字符标明的意义,即该信号为“0”表示该芯片被选中。因此,“或非”门的逻辑符号也可以画成下图。
7.组合逻辑电路
“与非”门、“或非”门等逻辑电路的不同组合可以得到各种组合逻辑电路,如译码器、解码器、多路开关等。组合逻辑电路的实现可以使用现成的集成电路,也可以使用可编程逻辑器件,如PAL、GAL等实现。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由奶爸工程师转载自HI-SEMICON官网,原文标题为:MOS管及简单CMOS逻辑电平电路,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如:低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。
【技术】MOSFET规格书参数详解
极限参数HI-SEMICON极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。本文对MOSFET规格书参数进行详细讲解。
【技术】MOS管栅极、源极、漏极的定义及判定测试方法
本文深鸿盛电子带大家了解MOS管三个极定义及判断测试方法。MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻。
HI-SEMICON MOSFET在园林工具上的应用,具有优秀Rdson和EAS性能,较低FOM值
园林工具市场正经历锂电化趋势,其中无刷电机技术受到重视,MOSFET在其中扮演关键角色。深鸿盛电子提供适合园林工具的中低压MOS产品,具有优秀的性能和多种封装选择,满足不同电池供电和电机负载需求。
MOS管输出特性曲线,你看明白了吗?
我们知道,三极管是利用IB的电流去控制电流IC的,所以说三极管是电流控制电流的器件。而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的,所以说MOS管是电压控制电流的器件。对于N沟道增强型的MOS管,当VGS>VGS(th)时,MOS就会开始导通,如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
【经验】各种开关电源MOS管驱动电路设计详解
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑mos的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。本文介绍MOS管种类和结构,以及几个模块电源中常用的MOS管驱动电路。
HI-SEMICON 产品充电桩行业分享
型号- SCP65R090CF,SFS3401,SC3D40065D,SC3D40120D,SFS3400,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SFS2N7002,SFS3407,SC3D10120H,SCW65R075CF,S3M040120K3,SCW65R050CF,SFD3009T,SGA104R5T,SC3D40065A,SFA10015T,SFS2301,SC3D30065I,SFS3415,SCW65R090CF,SC3D30065G,SFD50N06,SC3D30065H,SC3D30120H,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SFD6008T,SCW65R041CF,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SC3D20065A,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D
【经验】解析如何判断MOS管工作状态
MOS管的工作状态一共有两种,增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。那么如何判断mos管工作状态呢?本文HI-SEMICON将为您进行介绍。MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管。
【经验】一文介绍MOS损坏主要原因、开关原理和重要参数简要说明
MOS在控制器电路中的工作状态:开通过程、导通状态、关断过程、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态:开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。本文介绍MOS损坏主要原因、开关原理和重要参数简要说明。
深鸿盛PDFN5*6 CLIP封装的30V/0.5mΩ超低内阻低压MOS,适用于无人机、BMS等领域 |视频
HI-SEMICON的PDFN5*6CLIP封装工艺30V 0.5mΩ超低内阻低压MOS管,具有以下优势:超低内阻,低导通损耗;低寄生量,低开通损耗;PDFN5X6贴片式CLIP封装,有效降低占板率,提供良好的散热通道;电路波动不易损坏。
HI-SEMICON 产品 DC-DC 电源分享
型号- SC3D40065D,SC3D40120D,SC3D40065I,SC3D40065H,SC3D15120H,SC3D40065G,SGP104R5T,SC3D10120H,SGP103R0T,SGM15HR11T,S3M015120K3,SFM6008T,S3M040120K3,S3M065120K3,SGD6008T,SGA104R5T,S3M032120K3,SC3D40065A,SFA10015T,SGP157R5T,SGP105R5T,SC3D30065I,SC3D30065G,SC3D30065H,SC3D30120H,S3M050120K3,SFP20007,SGD105R5T,SGP104R0T,SC3D30065D,SC3D30120D,SC3D30065A,SGP10HR10T,S3M075120K3,SC3D20065I,SC3D20065H,SC3D20120H,SFP4024T,TSFD6008T,SC3D20065A,SGP6008T,SGA105R5T,SGA104R0T,SC3D20065D,SC3D20065G,SC3D20120D
电子商城
现货市场
服务
可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
最小起订量: 1 提交需求>
可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板;支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列,与兼容的底板组合定制单板计算机。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论