【产品】60V/20A N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用TO-252-2L封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用先进的沟槽技术，采用TO-252-2L封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，该产品应用范围较广。参数最大额定值如下：漏极-源极电压为60V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流分别为20A（TC=25℃）和14A（Tc=100℃），漏极脉冲电流为60A，最大耗散功率为45W，单次脉冲雪崩能量为72mJ， 结壳热阻RθJC为3.3℃/W，工作和存储温度范围为-55℃ ~ +175℃。
其它电气参数如下：
输入电容典型500pF，输出电容典型值为60pF，反向传输电容典型值25pF；
导通延时典型值为5ns，上升时间典型值为2.6ns，关断延时典型值为16.1ns，下降时间典型值为2.3ns；
总栅极电荷为47nC，栅-源电荷为6nC，栅-漏电荷为14nC。
主要特征：
VDS=60V，ID=20A，
高密度设计，超低导通阻抗Rdson；
高稳定性和高脉冲雪崩能量；
采用优良的封装，降低热损耗；
采用特殊工艺技术，提高抗静电能力；
无卤素材料；
P/N后缀带有V的表示通过AEC-Q101认证；
100% 全 UIS测试；
100% 全 ΔVds测试
应用领域：
电源开关应用
硬开关电路和高频电路
不间断电源系统
下图1为产品元件符号与和外形图。
图1 产品外形和电路符号
封装尺寸见下图2所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
包装信息如下：
型号：RM20N60LD；
丝印编码：20N60；
封装：TO-252-2L
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