【产品】HSOP8封装的N沟道功率MOSFET RS6L120BG，最大静态漏源导通电阻仅2.7mΩ
RS6L120BG是ROHM公司推出的一款采用HSOP8封装的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、经过100％Rg和UIS测试等特点。其漏源电压为60V，静态漏源导通电阻最大值为2.7mΩ（VGS=10V, ID =90A），连续漏极电流高达±150A（VGS=10V），耗散功率104W(Tc=25℃，仅受限于最大允许温度)。该产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，结温最大可达150℃，工作结温和存储温度范围均为-55℃至150℃，非常适用于开关应用领域。
图1 产品外观图及其内部电路图
产品特性：
• 低导通电阻
• 高功率封装（HSOP8）
• 无铅电镀，符合RoHS标准
• 无卤素
• 经过100％Rg和UIS测试
应用场合：
• 开关应用
绝对最大额定值：（Ta=25℃，除非其它说明）
备注：1，受限于硅芯片性能
2，Tc=25℃，仅受限于最大允许温度
3，Pw ≤ 10μs, 占空比 ≤ 1%
4，L ⋍ 0.1mH, VDD = 30V, RG = 25Ω, Starting Tj = 25℃
5， 安装于铜基板上 (40×40×0.8mm)
包装信息：
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