【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍

2020-11-04 EPC
eGaN FET,氮化镓增强型功率晶体管,EPC2215,EPC2207 eGaN FET,氮化镓增强型功率晶体管,EPC2215,EPC2207 eGaN FET,氮化镓增强型功率晶体管,EPC2215,EPC2207 eGaN FET,氮化镓增强型功率晶体管,EPC2215,EPC2207

EPC推出新型200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管),相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新的第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半,第四代产品与第五代产品的结构对比如图1所示,相比于第四代增强型功率晶体管,第五代增强型功率晶体管的栅电极和源电极之间的距离有所减小,金属层的厚度增加。这些改进,加上许多其他下图未显示的改进,使新一代FET的性能提高了一倍。

图1 第四代与第五代氮化镓增强型功率晶体管的结构对比如图


EPC2207EPC2215的相关参数以及与第四代产品的比较如下表所示。与EPC2010C的5.8 mm²相比,EPC2207为2.6 mm²,但EPC2207具有更低的RDS(on)、更低的QG、QGD和更低的QOSS

图2、第四代与第五代器件性能对比


为了说明与硅功率MOSFET相比的显著性能优势,图3将第四代和第五代eGaN FET与基准硅器件英飞凌的IPT111N20NFD进行了比较。EPC2215的RDS(on)降低了33%,但尺寸却缩小了15倍。采用新技术后,栅极电荷(QG)小了6倍多,而且与所有eGaN FET一样,没有反向恢复电荷(QRR),可实现更低失真的D类音频放大器以及更高效的同步整流器和电机驱动。EPC2215与硅晶体管IPT111N20NFD的参数比较:

图4中的性能图进一步证实了新一代200V eGaN FET的优势:所示为英飞凌200V MOSFET基准器件、老一代EPC2034C和第五代EPC2215之间的比较。EPC2215尺寸只有老一代EPC2034C的60%,但性能却比老一代EPC2034C更好,而Si MOSFET的性能明显逊色。

图4、EPC2215、EPC2034C、IPT111N20NFD的性能比较图


对于这些新一代eGaN FET器件,一个常见的问题是它们在工作中的散热效果如何。由于采用了芯片级封装,热效率远高于封装中的同类硅器件。作为一个例子,图5中是一个4mm²的eGaN FET,显示出4°C/W的热阻,器件中的功率为6W。为了清晰起见,文中展示的是模拟图像,但该器件的实际能力是通过实验证实的。

图5、4mm氮化镓晶体管的仿真热图像


氮化镓晶体管的应用

·D类音频

·同步整流

·太阳能大功率点跟踪器

·DC-DC转换器(硬开关和谐振)

·多电平高压转换器


价格方面,新一代200V氮化镓晶体管与硅增强型功率晶体管相近。


图6是仅使用六个EPC2215器件的2.5kW、四级图腾柱的功率因数校正。通过堆叠额定200V氮化镓晶体管,该功率因数校正的输入电压可以达到400 V,效率高达99.25%(如图7所示)。

图6、使用六个EPC2215器件的2.5kW、四级图腾柱的功率因数校正

图7、图6中系统的效率与负载功率的关系


EPC的第五代氮化镓增强型功率晶体管以更小的体积、更高的热效率以及适当的成本实现了更高的性能。除了文中介绍的降压转换器和四级图腾柱的功率因数校正以外,这些新一代200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管)还非常适合49V输出的同步整流和d类音频应用。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 23

本文由Goulart翻译自EPC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(23

  • Paulwang Lv8. 研究员 2021-01-22
    学习
  • 用户83123110 Lv4. 资深工程师 2020-12-28
    学习
  • otsuka Lv9. 科学家 2020-12-27
    学习了!
  • 用户83123110 Lv4. 资深工程师 2020-12-23
    学习
  • 飞翔的河南人 Lv5. 技术专家 2020-12-14
    学习了
  • zwjiang Lv9. 科学家 2020-11-25
    学习学习
  • yc49541969 Lv5. 技术专家 2020-11-24
    学习
  • 慧慧1985 Lv7. 资深专家 2020-11-20
    学习了
  • 非你不娶 Lv6. 高级专家 2020-11-20
    学习
  • 幸运星 Lv7. 资深专家 2020-11-20
    学习
展开更多评论

相关推荐

【产品】超小封装尺寸氮化镓功率晶体管(4.1mm×1.6mm),栅极电荷QG典型值仅8.7nC

EPC推出的EPC2015C增强型功率晶体管属于氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2015C可应用在工业自动化,同步整流,D类音频放大器等领域。EPC EPC2015C氮化镓功率晶体管属于绿色环保产品,无铅,无卤素,符合RoHS标准;其采用超小封装尺寸,仅4.1mm×1.6mm;操作温度和存储温度均为-40℃~150℃。

2018-06-20 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】全新170V/6.8mΩ的eGaN FET EPC2059,尺寸仅2.8×1.4mm

EPC推出的EPC2059是一款增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET),漏源电压170V,典型导通电阻6.8mΩ,连续漏极电流24A,脉冲漏极电流102A,仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.8mm×1.4mm,无卤素。

2020-12-08 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管EPC2206,漏源连续电压最大值80V

EPC推出EPC2206是面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管,通过AEC-Q101认证,具有超高效率,非常低的漏源通态电阻,极低的控制极电荷,零反向恢复损耗以及占板面积小等优点。

2018-11-22 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V

产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

增强型氮化镓技术

描述- 本文介绍了eGaN®技术,这是一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

型号- EPC2212,N/A,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC2100,EPC2067,EPC21701,EPC2221,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC7001,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC23104,EPC90140,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC2088,EPC7014,EPC90122,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128

2023/7/11  - EPC  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

EPC GaN FET EPC9192让您实现高性能D类音频放大器,每声道输出功率达700W

EPC宣布推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700W。

2024-04-12 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2107–集成同步引导的增强型氮化镓功率晶体管半桥数据表

描述- 本资料介绍了EPC2107增强型氮化镓功率晶体管半桥模块,该产品采用集成同步自举功能。它具有超低导通电阻(RDS(on))、高频率切换能力、极低的开关损耗和优异的热性能,适用于高频直流-直流转换、无线充电、Class-D音频等领域。

型号- SAC305,EPC2107

August, 2019  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

EAS DigiGallium Nitride-400S D类高性能Gallium Nitride FET放大器模块,带DSP产品简介

描述- 该资料介绍了EAS DigiGaN-400S是一款高性能的eGaN FET放大器模块,适用于功率扬声器制造商和独立立体声和多通道功放。它采用数字音频输入(I2S和S/PDIF),具有高效率、低失真和高信噪比等特点。

型号- EAS™ DIGIGAN-400S,DIGIGAN4002,EAS™ DIGIGAN4002,EAS DIGIGAN-400S

2023/9/13  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)

描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C

2017年07月11日  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

EAS氮化镓AMP1002 D类高性能氮化镓FET放大器模块产品简介

描述- 该资料介绍了EAS eGaNAMP1002是一款高性能的氮化镓(GaN)FET放大器模块。它专为功率扬声器制造商和独立立体声和多通道放大器设计,采用下一代驱动技术和新型eGaN FET功率器件技术,提供高保真音频质量和声音效果。该模块具有高效能、低失真、宽频响等特点。

型号- EAS GANAMP1002,EAS™ EGANAMP1002,EGANAMP1002

2020/11/10  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2207–增强型功率晶体管

描述- 本资料为EPC2207增强型功率晶体管的数据手册。该器件采用氮化镓(Gallium Nitride)技术,具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于无线充电、DC-DC转换器、BLDC电机驱动、太阳能微型逆变器、机器人、Class-D音频和多级AC-DC电源等领域。

型号- EPC2207

July, 2022  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

【应用】如何使用200V eGaN FET设计2.5kW高效FCML图腾柱无桥PFC整流器

本文介绍了一种适用于数据中心应用的高效,高功率密度,2.5kW的基于eGaN FET的飞跨电容4电平图腾柱无桥整流器。采用EPC旗下200V/8mΩ的EPC2215用于高频支路,其转换器在900W至2.5kW的效率超过99%,在1.4kW时的峰值为99.25%。

2020-11-27 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

EAS DigiGallium Nitride-200S D类高性能Gallium Nitride FET放大器模块,带DSP产品简介

描述- 该资料介绍了EAS DigiGaN-200S高效率eGaN FET放大器模块,是一款专为有源扬声器制造商和独立立体声和多通道放大器设计的Class-D放大器。它采用下一代驱动技术和新的eGaN FET功率器件技术,结合高品质输出滤波器,提供无与伦比的音频质量和声音效果。

型号- DIGIGAN0502,EAS™ DIGIGAN-200S,EAS™ DIGIGAN0502,EAS DIGIGAN-200S

2021/3/27  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC2088–增强型功率晶体管

描述- 本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高效率电源转换应用。

型号- EPC2088

March, 2023  - EPC  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。

产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表  -  EPC 立即选型

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Power Transistor

价格:¥13.3094

现货: 0

品牌:EPC

品类:晶体管

价格:¥25.3249

现货: 0

品牌:ROHM

品类:Power Transistor

价格:¥52.8781

现货: 50

品牌:ROHM

品类:Power Transistor

价格:¥58.4740

现货: 50

品牌:芯际探索

品类:GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:芯际探索

品类:GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:芯际探索

品类:GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:芯际探索

品类:GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:派恩杰

品类:GaN Enhancement Mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:芯际探索

品类:GaN-on-Si Enhancement-mode Power Transistor

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

现货:4,749

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,533

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

现货:3,059

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

现货:941

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面