【产品】采用TO-247-4L封装和半桥电路的SiC MOSFET的评估板P02SCT3040KR-EVK-001

时间： 2019-12-18 来源：ROHM

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P02SCT3040KR-EVK-001是ROHM推出的用于采用TO-247-4L封装和半桥电路的SiC MOSFET的评估板，该评估板需要几个外部电源和输入信号源。为了避免任何形式的故障或破坏，务必遵循如图1所示的上电和下电顺序。

图1 上电和下电顺序

该评估板LED指示灯介绍：

为了了解评估板的运行状况，该评估板配备了多个LED指示灯。 LED的位置如图2所示，请注意，如果Alarm LED点亮，则板将进入Latch状态，因为外部电路故障。但是，该评估板配备了一个“复位”按钮，请按该按钮清除“闩锁”条件。异常情况消除后，单板恢复正常工作状态。按下复位按钮（非锁定类型，按钮）可以清除闩锁。如果LS_FAULT和OCP LED同时亮起，请确保首先重置OCP。

图2 LED和按钮开关位置

该评估板OCP设置：

过电流保护（OCP）电路检测安装在LS MOSFET源极和PGND之间的电流检测电阻上的压降，将OCP检测信号输入到LS MOSFET驱动器IC（U102）的VTSIN输入（引脚01），在以下位置生成FLT信号输入端，使所有的CLK信号无效，包括HS端。

图3 OCP电路

连接器的引脚分配：

设备电流测量：

在该评估板上，每个HS和LS都有两个通孔（无镀层），以便使用Rogowski电流探头轻松测量流到每个器件的电流。可以在HS的漏极引脚和LS的电源引脚上测量电流。通孔的图像以及探测方法如图4所示：

图4 使用Rogowski电流探头进行测量

双脉冲测试的连接如图5所示：

图5 LS双脉冲测试

基于半桥配置的2级逆变器电路如图6所示：

图6 基于半桥配置的2级逆变器电路

非放电RCD缓冲电路：

图7 非放电RCD缓冲电路

缓冲电路效应如图8：

图8 缓冲电路效应

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