【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2160KEHR，导通电阻仅为160mΩ

时间： 2022-03-26 来源：ROHM

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ROHM新推出的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2160KEHR，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达22A，导通电阻仅为160mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。

图1 SCT2160KEHR的实物图、封装形式和电路结构示意图

SCT2160KEHR的特性：

低导通电阻

开关速度快

反向恢复速度快

易于并联应用

驱动简单

无铅电镀，符合RoHS标准

AEC-Q101认证

SCT2160KEHR的应用：

车载设备

开关模式电源

SCT2160KEHR的最大额定值参数（Ta=25℃）：

SCT2160KEHR的包装信息和订购信息：

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