【选型】如何为660VAC输入中压变频器辅助开关电源设计选择一款合适的高压MOSFET？
工业变频器辅助开关电源设计，市面上常以反激式开关电源电路拓扑设计为主，其典型应用电路参考如下图1所示。
图1：辅助开关电源典型应用电路拓扑示意图
如上图示，基本上可以满足220VAC或380VAC交流输入的低压变频器设计，其中开关管MOSFET可承受的最高电压可参考公式VDSS=VDC max+VOR+VLK，VDC max为输入交流电压的直流值，VOR为反射电压，一般为100V左右，VLK为变压器漏感电压，一般为150V左右，代入公式可得：VDSS=380*1.414+100+150=787V，为保证产品高可靠，再考虑预留20%耐压裕量，故针对380VAC输入的工业电源设计选用单管900V耐压MOSFET即可，或者选用Power Integrations（PI）公司推出的集成900V耐压MOSFET的芯片方案INN2904K。
不过，在做660VAC输入的中压变频器设计，选择的MOSFET耐压至少需要满足VDSS=660*1.414+100+150=1183V，故900V耐压单管方案已无法满足，一般采用双管900V耐压MOSFET串联设计提高耐压，不过，这样的设计无法避免变压器磁芯体积会很大。
那么，针对660VAC输入的中频变压器，想实现小体积、高效率、高开关频率达100kHz的50W开关电源设计，对此高压MOSFET选型有哪些设计考量呢？
1、VDSS耐压：至少满足1500V耐压（1183*1.2=1419.6V）；
2、连续漏电流ID：这项参数需要结合设计的开关电源想实现的功率大小；
3、更低的导通电阻，降低芯片发热；
4、支持高开关频率。
针对如上设计考量，本文推荐一款WOLFSPEED（科锐）针对辅助电源或开关电源设计推出的高耐压1700V/5A（1Ω）SIC MOSFET，型号为C2M1000170D，采用TO-247-3封装，其实物图和pin脚定义参考如下图2所示。
图2：WOLFSPEED（科锐）C2M1000170D SIC MOSFET实物图和尺寸图
WOLFSPEED（科锐）C2M1000170D SIC MOSFET具有出色的电性参数：
1、典型值为55μJ（包括：导通开关能量40μJ，关断开关能量15μJ）低开关损耗，可简化电路设计，高效且低能耗，无需散热器，降低电源成本；
2、高达1700V耐压、5A连续漏极电流@Tc=25℃，可满足高压设计；
3、低至1Ω导通电阻，更大程度上降低导通损耗发热，提升转换效率；
4、低至55μJ低开关损耗，无需散热器，降低电源成本；
5、低至1.3pF反向传输电容，可有效抑制开关噪声，防止关断瞬间出现的波形振铃过大超过VGS电压出现误导通；
6、低至13nC总栅极电荷，可更快速的实现开关。
除以上六个特性优势之外，C2M1000170D SIC MOSFET还具有以下竞争优势：
1、 无卤素，符合RoHS规范；
2、 世强常备库存，供货交期均有保障。
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