SiC市场持续高速增长，SiC FET改进的开关性能和导通电阻在电动汽车领域实现更强大的新应用
据国际知名分析机构Yole在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在EV主逆变器方面的需求，SiC市场将迎来高速增长。报告指出，继特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新发布的EV使用SiC。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助SiC器件在2021年达到10亿美元的规模。他们指出，为了满足长续航的需求，800V EV 是实现快速直流充电的解决方案，这也就是1200V SiC器件发挥重要作用的地方。
Yole在报告中表示，除汽车外，工业和能源应用市场将成为SiC营收增长超过20%的市场。为此Yole预测，预计到2027年，SiC器件市场将从2021年的10亿美元业务增长到60亿美元以上。
作为一家在宽禁带方面有多年积累经验的企业，Qorvo去年通过收购UnitedSiC，加强了公司在这方面的投入。UnitedSiC前总裁兼首席执行官、Qorvo现任电源设备解决方案部门总经理Chris Dries之前在接受EETIMES的采访时强调，Dries表示，Qorvo对Active-Semi的收购触发了其对功率电子设备领域的兴趣。如今，Qorvo的目标就是，利用UnitedSiC的化合物半导体制造技术来实现伟大的多元化战略。
“可编程电源管理业务发展迅速，Qrovo希望在电力市场占有更大的份额。此次收购有助于加快其进军该市场领域的步伐，进而创建将我们可编程性、灵活性和模拟控制IP与UnitedSiC产品组合在一起的解决方案，以便为客户打造端到端解决方案。”Qorvo可编程电源管理业务部门高级总监David Briggs在同一个采访中补充说。
据采访所说，UnitedSiC已开发出一种共源共栅布局的SiC，适用于需要常闭器件的功率电子设备应用。在共源共栅配置中，功率MOSFET置于JFET顶部，而且两者被封装在一起，以实现极低热阻。
UnitedSiC提供SiC FET、JFET和肖特基二极管设备等产品。JFET结构是最基本的SiC开关。因为它没有栅极氧化物，并且是单极传导装置，所以可以避免一些与MOSFET相关的缺陷。新推出的第四代SiC FET的最大工作电压为750V, RDS (on) 为5.9毫欧姆，可将各行各业的效率提升至新高度。改进开关性能和RDS(on) 可在电动汽车领域实现更强大的新应用，如牵引驱动、车载和车外充电器以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和AC/DC或DC/DC功率转换等所有阶段的功率转换。
Dries表示：“我们刚刚发布了第四代器件，其芯片尺寸缩小了30-50%，从而进一步降低了解决方案成本。当您考虑碳化硅逆变器所带来的效率优势时，就更应该把握住这一机会。我认为，在这个十年结束之时，碳化硅可能会开始占主导地位，尤其是在更大功率的汽车领域。”
Briggs补充道：“IGBT仍将继续存在，它们不会轻易地被SiC取代，但由于其效率、性能和可靠性，碳化硅迟早会占据大部分市场份额并最终取代IGBT。”
SiC FET通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。据UnitedSiC的研究，所述众多应用的一个特点就是，栅极驱动器特性与其他器件（如MOSFET和IGBT）兼容，这样就可以轻松地将其集成到现有设计中。
在Qorvo产品组合中整合UnitedSiC解决方案将涵盖新兴市场的许多应用，主要与能源相关。UnitedSiC和Qorvo强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会，以加快SiC的采用，从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。
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witt Lv7. 资深专家 2022-05-26厉害了 -
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lu Lv7. 资深专家 2022-05-24学习 -
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阿尼古 Lv8. 研究员 2022-05-23感谢分享 -
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全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）
UnitedSiC（联合碳化硅）开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管（FET）、碳化硅结型场效应晶体管（JFET）和碳化硅肖特基二极管（Schottky Diode）等功率半导体器件，且可定制,为电动汽车充电器，DC-DC转换器，牵引变流器等。
品牌简介 发布时间 : 2019-11-22
UnitedSiC SiC FET User Guide
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