【产品】最大输出电压达40V的半桥式开发板EPC9001C，可简化对EPC2015 eGaN FET的评估过程

EPC90156开发板快速入门指南

本指南介绍了EPC90156半桥开发板的快速入门，该板集成了100V等级的EPC2361 eGaN场效应晶体管（FET）和门驱动器。它支持单输入或双输入PWM信号，并具有死区时间生成电路以防止直通条件。指南涵盖了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器，包括连接电源、电感器和电容器的说明。此外，还提供了测量波形、效率和热性能的建议，以及有关散热片安装和热界面材料的详细信息。

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EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）

本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

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EPC90155开发板快速入门指南

EPC90155是一款集成了EPC2057 eGaN® FET的半桥开发板，旨在简化EPC2057的评估过程。该板包含两个EPC2057 eGaN FET和EPC2038 GaN FET，以及uPI Semiconductor uP1966E门驱动器。支持单输入和双输入PWM信号输入，可配置死区时间和极性改变电路。提供Buck和Boost转换器配置，支持波形测量和效率计算。

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开发板EPC90139快速入门指南

本资料为EPC90139半桥开发板的快速入门指南，介绍了该开发板的功能、性能参数、使用方法和注意事项。EPC90139是一款集成了40V EPC2069 GaN FET和EPC2038 GaN FET的半桥开发板，可简化EPC2069的评估过程。资料详细说明了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器，包括PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置。此外，还提供了测量考虑、热管理建议和物料清单。

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EPC2015C Spectre型号

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开发板EPC90132快速入门指南：带栅极驱动的40 v半桥，使用EPC2055

本资料为EPC90132开发板的快速入门指南，介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC90132是一款基于40V EPC2055 GaN FET的半桥开发板，适用于评估EPC2055的性能。指南详细说明了如何设置和操作该开发板作为降压或升压转换器，包括PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置。此外，还提供了测量考虑因素和热管理建议。

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EPC90143开发板快速入门指南

本资料为EPC90143半桥开发板的快速入门指南，介绍了该开发板的功能、性能和配置方法。EPC90143开发板集成了150V EPC2305 GaN FET和NCP51820栅极驱动器，支持单输入和双输入模式，可轻松评估EPC2305的性能。指南详细说明了如何设置和操作开发板，包括PWM信号输入、死区时间设置、旁路配置和测量考虑因素。此外，还提供了热性能、效率损失和热耗散曲线等信息。

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EPC2015C设计模型

EPC  -  EPC2015C

EPC90128开发板快速入门指南

EPC90128是一款基于100V EPC2044 eGaN®FET的半桥开发板，旨在简化EPC2044的评估过程。该板包含所有关键组件，支持单输入和双输入PWM信号，并具有死区时间生成电路。资料详细介绍了如何将开发板配置为降压或升压转换器，包括设置跳线、连接电源和负载、测量波形以及考虑热管理等方面。

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面向48 V降压转换器的 eGaN®FET及集成电路应用简介

本文介绍了基于eGaN®技术的48V降压转换器，强调了其优势，包括提高输出电流、缩减尺寸、超低QGD和QRR，以及高频开关等。文章还探讨了数据中心电源架构的优化，通过eGaN FET及集成电路实现单级转换，提高效率并降低成本。此外，文章提供了多种eGaN FET及集成电路的型号和应用信息，以及相关的演示电路和评估板。

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