【产品】600V/8A N沟道超级结MOSFET PJMD580N60E1，适用于电视电源、PD充电器、适配器

2022-04-19 PANJIT
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强茂（PANJIT）推出一款采用TO-252AA封装的N沟道超级结MOSFET—PJMD580N60E1 ，在TA=25℃的条件下，其漏源电压极限值为600V，连续漏极电流极限值为8A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为580mΩ（VGS=10V, ID=2.5A）。它具有高速开关和低导通电阻、符合RoHS 2.0标准和IEC 61249标准等特点，适用于电视电源、PD充电器、适配器。

产品外观和示意图

特点：

    漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为580mΩ（VGS=10V）

    易于使用和驱动

    高速开关，低导通电阻RDS(ON) 

    100%雪崩测试

    100%Rg测试

    无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

    绿色环保塑封，符合IEC 61249标准


机械数据：

    外壳：TO-252AA 封装

    端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

    重量约为：0.0105 盎司，0.297 克


应用：

    电视电源、PD充电器、适配器


最大额定值(TA=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性（TA=25℃，除非特别说明）：

技术顾问：零点
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道：世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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实验室地址： 西安 提交需求>

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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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