碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心(SASTC)

2021-08-02 世强
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先导中心(SASTC),全称为陕西半导体先导技术中心,致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发,主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向,研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款,1200V的MOSFET产品共5款,同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向 5G和特种频段的微波功率器件研发能力。

品 牌 官 网:

产品亮点:

碳化硅肖特基二极管:电压规格650V-5000V; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流,反向漏电低至μA; 多种封装形式

碳化硅MOSFET:电压规格1200V-3300V;导通电阻Rds(on):20~1000mΩ;驱动电压20V

 

主要应用

光伏逆变器、电动汽车、电力系统、高铁、航空航天等领域。


选型指南 

【选型】先导中心(SASTC)碳化硅(SiC)功率元器件选型指南

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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产品    发布时间 : 2024-11-22

纳芯微汽车电子解决方案 助力汽车电动化和智能化发展

型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X

应用及方案  -  纳芯微电子  - 2023年12月 PDF 中文 下载

瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。

产品    发布时间 : 2024-10-09

中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南

描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南  -  中电国基南方  - 2024/7/30 PDF 中文 下载

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号,以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日,深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单,爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出,特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著,获评了“小巨人”称号,得到了国家层面的高度认可。

原厂动态    发布时间 : 2024-09-11

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?

半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-23

爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则    芯片    模块    参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍   

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

选型指南  -  爱仕特  - 2021/11/26 PDF 中文 下载

SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势

无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。

应用方案    发布时间 : 2024-09-06

MASPOWER(麦思浦)IGBT/MOSFET/FRD模块/AC-DC电源转换器/IC选型指南

描述- 公司专注于电压800V—4700V超高压MOSFET细分领域系列化开发,解决客户缺芯问题, 主要服务工业电源,光伏储能,仪器仪表,医疗电源,国网电力电源等行业。

型号- ESTF75SS120US,MS18N20FD,ESTF80D40U,MS10N100FB,ESTF15SS60UD,MS24N80HCE0,ESTF15SS60UC,MS10N100FA,ESJ75SH120AN,ESTF8SS80RM,EST120BN40SN,MS8N100FS,MS9N120HGT0,MS8N100FT,ML0841DR,MS10N100FS,MSG100D350FH,ESTF15SS60UP,OP37,MSG50N350FH,MS7N80HGD0,MSG50N350HLC0,MSC393F1,74HC595,MS18N20FT,ESQ100QN60SN,LM324N,MS100N20HGC0,MS40N25HGE0,MS9N150H2,MS20P06FD,MS9N150H1,ESTF75D60FB,ESTF30SS12XI,ESTF10D20SR,MS20N100HGC1,ESTF15SS60SC,MS60N60HGB3,MS20N100HGC0,OP200,MS1N450HGC5,MS1N450HGC4,ESG100QN60SN,MSG25T120FQC,MS160N03FDT,ESTF80N60UB,EST60BN120SN,ESTF8SS195UP,MS7N80FCD,MS8N100FE,MS8N100FC,MS60N60HGC1,MS8N100FA,MSG50T65FQC,MS8N100FK,MSG40T65HHC0,MSG40T120FQC,MS4N1350,MS65N070DD1,UC2844AN,MS100N06HDD0,MS3N100HGB2,MS170N25HGF4,MSG100T65HLB3,MS12N165HGC0,MS210N085FTD,ESTF30SS20SI,OPA2277,OP90,MS60N350DD1,ESTF40D30U,OP77,MS10N100HGE0,MS3N100HGC0,MS20N85ICT1,ESD150PC120SN,MS7N120HGE0,MS20N85ICT0,OP497,ESTF60D20UE,MSG100T65HLC6,MS12N150HGC0,MS12N150HGC1,MS9N170HGC0,MSG100T65HLC1,MS9N170HGC1,MS40N65FCC,ESC150PC60S,MS12N100FT,MS3N100HGD1,MS3N100HGD0,MS12N100FS,ESTF8SS120C,ESTF8SS120D,MS12N100FE,MS24N50FB,MS5N100FD,MS5N100FE,MS15N165HGC0,ESTF8SS120P,MS12N100FC,MS12N100FA,ESD4204,ESTF8SS120S,MS4N120HGD0,MS10N100HGC0,UC3140BN,MS15N150HGC0,MS15N150HGC1,MS50N100HGF4,MSG100D350FHS,ESTF80D33U,MS3N100HGE0,MSG75D65HFC0,MS26P20HGC0,ESD200NC60K,ESG80QN60SN,UC3140BD,ESD150NC60K,MSG15T65FL,MSG75T65HHC0,ESB150NH60SN,MSG75C65HHC0,MSG15T65FLE,MS15N100HGC0,MS120N03IDD0,MS2N100HGT0,MSG160T65HLC1,ESTF45D60U,MSG15T65FLT,MS18N50FB,MSG50T120FQW,MS5N100FT,MS6N100FA,PWM1220YBN,MS35N120HGF4,MS15N100HGB2,MS100N20IDT0,ESTF60D33U,MS6N100FE,MSG30T65HHT1,MS6N100FC,MSG50D60HLE0,ESTF50SS135US,MS17N060FD,MS6N100FS,MS6N100FT,MS10N120HGC0,OP282,ESTF25D60U,MS8N120FT,MS8N120FS,MS120N08FT,ESC100NS120SN,MS3P03HDF3,MS5N170HGB2,ESTF100SS60S,MS12P060FT,ESTF100SS60U,ESJ100SH60N,ESQ150QN60SN,MS5N200HGC0,MSG75T65HFC0,MSG70T170HLB3,MSG75T65HFC6,ESTF30SS120U,LM3580DR,MS10N120HGE0,MS15N170HGC0,ESC100PC60SN,MS10N40HGT0,ESC100PS120SN,ESTU30Q60SN,MSC339F1,EST100BN120SN,MS90N25HDT0,MS8N120FE,MS8N120FC,ESTF30SS120C,MS150N25HGC0,ESD150PC60KN,MSG15T120HLC0,MS24N20FDT,MS4N1350W,ESTF60D33E,MS4N1350T,MS4N1350S,MS28N20HGT0,MSG80N350FQC,ESTF45H120UU,UC3525ADW,MS180N10FC,MS200N20IDC0,MC3846ADW,ESTF60D20U,ESTF60SS120US,MS4N250HGC0,MS24N20FDE,MS4N1350E,ESTF60SS40SS,ESJ100SH60AN,MS6N120FD,MS15N120HGC0,MS6N120FC,OP07C,MS9N150HGC0,MS4N350HGC0,MS15N120HGC1,MS6N120FT,MSG06T65FLD,MS6N120FS,ESTF25D20SB,MS6N120FE,MSG60T65HHC0,MS210N075FE,MS170N65HGF4,MS3N200HGC0,ESTF30SS60SE,MS30N90ICE0,ESTF20D20SB,MS2P06HDF0,UC2844,MSG50T120FHW,PWM820F,ESTF30SS60SC,MS9N150H,MS5N250HGC5,LF356,MC3846AN,ESTF30SS60SS,ESTF75D60U,MS50N20FC,MS9N120HGE0,MSG120T65HLC1,MC34063ADW,ICL7135MU,MSC431F1,MSG120T65HLC6,MSG120T120HLC1,ESB100NH60SN,ESD200PC60KN,AD620,MS20N65FCC,MS20N65FCE,AD623,MSG100T120FQW,MSG120T120HLB3,ESB150NH40SN,ESTF60SS160US,PWM834F,UC3845BD,PWM858F,MS9N20FD,MS8N80FS,MSG75T120FQC1,MSG20T120HLE0,MSG40T65HPC0,MS50N65FC,MS38N65FCC,MS33N10FT,MS65N065DD1,MSG80N350HLC0,MS12N120HJC0,MSK2225,MS40N25HGT0,ESTF75D60UC,MS30N95HGC0,MSG60T65HFC0,MS140N30HGB3,MSG200T65HLC1,ESD150NC60KN,ESD150NS60K,MS4N400HGC4,MS10N100HGT1,MS160N080FDT,MSG30T120FQC,LM3241DR,MS5HB06NB,ESTF20D30SU,UC3844AN,MS7N120HGT0,MS13N20HGD0,MS50N85IDC0,MS25N85ICE0,MSG50T65HHC0,MS3P02FBF,UC3845BN,MS20N85ICC0,MS100N20FC,MS2N3660,MS18N100HGC0,MS30N90ICC0,ESD200PS60SN,ESTF15SS120S,UC3843BD,MS4N120HGT0,MS170N15IDC0,MS3N100HGT1,MS3N100HGT0,ESTF60SS60US,MS120N10FE,ESD150NS60SN,ESTF80D60UB,MS140N30HGC0,MS1N470HGC0,ESC100NC60SN,MS1N470HGC5,MSG60T120FQW,MS120N10FT,OPA2604,ESD200NS60S,ESTF15SS120C,ESTF15SS120E,MS33N20HGC0,MSF18N65,MS2N100HGD0,MS60N06HGB0,MS30N100HGC0,MS340N07HGF4,MS30N100HGC1,MS290N10HDC0,MS10T60HLC0,MSG50N350FQC,MSG80N350FH,PWM815Y,MSG80N350FL,MSG100T65HLF4,MS100N20IDC0,MSG20T65FQC,ESF30SS120U,MSN4686,MSN4689,UC3525AN,MSN4688,MSG15T120FPE,MSG15T120FPC,MSG15T120HLT1,ESF30SS120C,MSG20T65FQS,MS1N400HGC0,ESC150NC60S,MS30N50HGC0,MS5N100,MS2N200HGC0,EST75BN60S,MSG80T65HHC0,MS37N90ICC0,MS30N06FD,MS53N065FDT,MSG120T65HLC1V,MS20N85FCS,MSG30T65FT,MSG30T65FS,MS8N90ICD0,MS15N100HGT0,MS15N100HGT1,MSG200T65HLB3,MS20N85FCC,MS50N06HDT0,ESB100NH40SN,MSG100T100FLN,MS170N15IDF4,MS25N50FB,MS100N04HDT0,MSG80N60FQC,MSF18P65,MSC75176F1,MS120N25HGC0,ESTF45H180UU,MS1N200HGC0,PWM1018YBN,MS2N450HGC0,ESD150PS60SN,ESA300BN60SN,MSG75T120FQW,ESD150NC120SN,MS2N300HGC0,MS120N15FB,MS90N25HDE0,MS120N15FE,MS2N470HGC5,MSG75T65FQC,MS3N06FF,MS5N170FC,ESTF15SS135UC,MS12N120HGC0,MS120N15FT,MS1N350HGC0,MS6N150HGC0,MS20N60FC,MS20N60FB,MSG40T65FL,MS10N120HGT1,MS12N170HGC0,MSG80D60FLC,OP27,MSG100T120FQC1,MS20N50FS,OP400,EST100BN60SN,MSG100T100FQW,MS6N150HGB2,MS5N100S,ESTF90D20XU,MSG30D120FLB,PWM825Y,MS12N170HGC1,ESJ100SH120AN,LM4558,EST75BN120S,OP2177C,ESTF8SS60UC,MS1N250HGC4,MSG30T65FQC,UC3844,ESTF90D20XB,MS1N250HGC0,ESTF10D60US,MS2P1230,MS200N04FE,ESTF100D60SU,MS18P10FE,PWM812Y,MS05N250HGE0,MS2N400HGC0,LM358P,ESTF75SS135US

选型指南  -  MASPOWER  - 2024/6/5 PDF 中文 下载

东海半导体授权世强硬创,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

签约新闻    发布时间 : 2023-09-18

基本半导体与贺利氏电子签署战略合作协议,将共同推动功率半导体行业技术革新与价值提升

8月29日,在深圳举行的PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会上,基本半导体与贺利氏电子共同举行了战略合作备忘录签约仪式。此次签约,标志着双方在碳化硅领域的合作迈入新阶段,将共同推动功率半导体行业的技术革新与价值提升。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-31

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