碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心(SASTC)

2021-08-02 世强
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先导中心(SASTC),全称为陕西半导体先导技术中心,致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发,主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向,研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款,1200V的MOSFET产品共5款,同时具备40-650V 电压等级的电力电子器件和面向 5G和特种频段的微波功率器件研发能力。

品 牌 官 网:

产品亮点:

碳化硅肖特基二极管:电压规格650V-5000V; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流,反向漏电低至μA; 多种封装形式

碳化硅MOSFET:电压规格1200V-3300V;导通电阻Rds(on):20~1000mΩ;驱动电压20V

 

主要应用

光伏逆变器、电动汽车、电力系统、高铁、航空航天等领域。


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【选型】先导中心(SASTC)碳化硅(SiC)功率元器件选型指南

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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